rom、ram、flashmemory的区别(表格版)

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1、存储设备存储器特点RAMFlashMemoryROM中文名称（RandomAccessMemory）的全名为随机存取器FLASH存储器又称闪存ROM（ReadOnlyMemory）的全名为只读存储器电源关闭数据是否保留否是是主要分类SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）NORFlash和NANDFlash型PROM、EPROM、E2PROM速度较快较慢ROM不同ROM特点MaskROMPROMEPROME2PROMFlashROM写入次数一次性由厂家写入数据，用户无法修改出厂并未写入数据，由用户编程

2、一次性写入数据通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点、而且集成度可以做得很高，它综合了：不会断电丢失（NVRAM），快速读取，点可擦写编程（E2PROM）产品实例Intel的28系列、Winbond公司的W27-29系列及AMD公司的29系列等U盘（NANDFlash）FlashROM存储器特点NORFlashNANDFlash性能比较1、NORFlash的读速度比N

3、ANDFlash的读速度；2、NANDFlash的写入速度比NORFlash快很多；3、NANDFlash的4ms擦出速度远比NORFlash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。4、NANDFlash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。接口差别1、NORFlash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NANDFlash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NANDFlash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚

4、用来传送控制、地址和资料信息。2、NANDFlash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NANDFlash结构可以取代硬盘或其他设备。容量和成本1、NANDFlash的单元尺寸几乎是NORFlash的一半，由于生产过程更为简单，NANDFlash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。2、NORFlash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NANDFlash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NORFlash主要应用在代码存储介质中，NANDFlash适用于资料存

5、储。NANDFlash在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存储卡市场所占份额最大。可靠性和耐用性寿命(耐用性)NANDFlash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NORFlash的读写次数是十万次。典型的NANDFlash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。位交换NANDFlash发生的次数要比NORFlash多FlashMemory器件都受位交换现象的困扰。块坏处理NANDFlash中坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAN

6、DFlash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。易用性可以非常直接地使用NORFlash，可以像其他内存那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NANDFlash要复杂得多。各种NAND的存储方法因厂家而异。软件支持不需要任何的软件支持需要驱动程序，也包括内存技术驱动程序（MTD）市场定位用于数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，NORFlash也被称为代码闪存（CodeFlash）。用于对

7、存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域。正是如此，NANDFlash也被称为数据闪存（DataFlash）。RAM不同SRAM特点SRAMDRAMDDRAM（基于SRAM）全称StaticRAM，静态随机存储器DynamicRAM，动态随机存储器DoubleDataRateSDRAM，双倍速率随机存储器存储速度较快较慢成本较高较低技术双倍预取技术DDRAM技术采用差分方式，DDRAM比SDRAM多一倍的传输速率和内存宽度。