硫酸钙晶须在造纸工业的运用研究(共7015字)

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1、硫酸钙晶须在造纸工业的运用研究(共7015字) 关于晶体生长形态，人们先后提出了BFDH法则、PBC理论、BCF理论以及负离子配位多面体模型等。由仲维卓等[2]提出的负离子配位多面体晶体生长理论，将晶体内部结构所决定的生长规律和晶体的具体生长条件联系起来，指出晶体生长过程实质就是生长基元，即负离子配位多面体按一定规律叠合的过程。一般认为，硫酸钙晶须生长过程是二水硫酸钙溶解、结晶、脱水的过程，晶须生长遵循螺旋位错机理；硫酸钙晶体轴向[SO4]四面体和[CaO8]八面体相互联结，是晶体中的强键方向，晶体在此方向的生长速率最快，这决定了硫酸钙晶须的生长形态。 磷石膏预处理 硫酸钙

2、晶须在造纸工业的运用研究(共7015字) 关于晶体生长形态，人们先后提出了BFDH法则、PBC理论、BCF理论以及负离子配位多面体模型等。由仲维卓等[2]提出的负离子配位多面体晶体生长理论，将晶体内部结构所决定的生长规律和晶体的具体生长条件联系起来，指出晶体生长过程实质就是生长基元，即负离子配位多面体按一定规律叠合的过程。一般认为，硫酸钙晶须生长过程是二水硫酸钙溶解、结晶、脱水的过程，晶须生长遵循螺旋位错机理；硫酸钙晶体轴向[SO4]四面体和[CaO8]八面体相互联结，是晶体中的强键方向，晶体在此方向的生长速率最快，这决定了硫酸钙晶须的生长形态。 磷石膏预处理 硫酸钙晶须在

3、造纸工业的运用研究(共7015字) 关于晶体生长形态，人们先后提出了BFDH法则、PBC理论、BCF理论以及负离子配位多面体模型等。由仲维卓等[2]提出的负离子配位多面体晶体生长理论，将晶体内部结构所决定的生长规律和晶体的具体生长条件联系起来，指出晶体生长过程实质就是生长基元，即负离子配位多面体按一定规律叠合的过程。一般认为，硫酸钙晶须生长过程是二水硫酸钙溶解、结晶、脱水的过程，晶须生长遵循螺旋位错机理；硫酸钙晶体轴向[SO4]四面体和[CaO8]八面体相互联结，是晶体中的强键方向，晶体在此方向的生长速率最快，这决定了硫酸钙晶须的生长形态。 磷石膏预处理 硫酸钙晶须在造纸工

4、业的运用研究(共7015字) 关于晶体生长形态，人们先后提出了BFDH法则、PBC理论、BCF理论以及负离子配位多面体模型等。由仲维卓等[2]提出的负离子配位多面体晶体生长理论，将晶体内部结构所决定的生长规律和晶体的具体生长条件联系起来，指出晶体生长过程实质就是生长基元，即负离子配位多面体按一定规律叠合的过程。一般认为，硫酸钙晶须生长过程是二水硫酸钙溶解、结晶、脱水的过程，晶须生长遵循螺旋位错机理；硫酸钙晶体轴向[SO4]四面体和[CaO8]八面体相互联结，是晶体中的强键方向，晶体在此方向的生长速率最快，这决定了硫酸钙晶须的生长形态。 磷石膏预处理 硫酸钙晶须在造纸工业的运

5、用研究(共7015字) 关于晶体生长形态，人们先后提出了BFDH法则、PBC理论、BCF理论以及负离子配位多面体模型等。由仲维卓等[2]提出的负离子配位多面体晶体生长理论，将晶体内部结构所决定的生长规律和晶体的具体生长条件联系起来，指出晶体生长过程实质就是生长基元，即负离子配位多面体按一定规律叠合的过程。一般认为，硫酸钙晶须生长过程是二水硫酸钙溶解、结晶、脱水的过程，晶须生长遵循螺旋位错机理；硫酸钙晶体轴向[SO4]四面体和[CaO8]八面体相互联结，是晶体中的强键方向，晶体在此方向的生长速率最快，这决定了硫酸钙晶须的生长形态。 磷石膏预处理 磷石膏中残磷、氟、有机物、碱

6、金属盐被视为其主要杂质。石膏常用预处理方式主要有以下几种。（1）水洗水洗对可溶性磷、有机物、氟和碱金属盐的除去率可达90%。但该法一次性投资大，水耗较高，易造成水资源的二次污染。（2）中和石灰可与磷石膏中残留酸、磷等反应生成惰性物质，处理前石膏须均匀化处理。此法适用于品质稳定、有机物含量低的石膏，除杂效果不如水洗。（3）煅烧高温下P2O5分解成气体或者形成难溶惰性物质，氟以HF形式挥发，有机质变为气体排出。但除杂过程中产生的气体会腐蚀设备，并造成空气污染。（4）筛分不同粒度磷石膏的杂质含量、晶形、活化指数、表观密度等性质有很大差别[3-4]，通过筛分去掉一定粒度的颗粒，可实现

7、磷石膏的初步净化。但筛分过程投资大，且筛分后余料的资源化利用还有待进一步研究。此外，柠檬酸可使磷石膏中磷、氟转化为可溶盐，硫酸可有效降低磷石膏中的不溶磷、氟含量[5-7]，结合水洗等操作，可实现对磷石膏的除杂。在强酸碱性下对磷石膏进行水热处理，可获得较高的P2O5脱除率和CaO、SO3回收率，得到的晶体呈柱状[8]。胡旭东等[9]采用微波对磷石膏进行干燥和煅烧，在短时间内可将磷石膏中游离水大量除去，有机物除去率可达99%。改进湿法磷酸工艺，通过优化条件改善副产磷石膏的品质也是磷石膏净化处理的一种方法。白