SJ 21499-2018 声表面波器件划片工艺技术要求[电子]

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中华人民共和国电子行业标准FL6200SJ21499-2018声表面波器件划片工艺技术要求Technicalrequirementsforwaferdicingprocessofsurfaceacousticwavedevice2018-12-29发布2019一03一01实施国家国防科技工业局发布

1SJ21499-2018目IJ1=1本标准由中国电子科技集团有限公司提出。本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。本标准起草单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所。本标准主要起草人:陶毅、吴琳、张生s盗侮也垣品法平、唐光庆、米佳、刘良芳、刘洋。

2SJ21499-2018声表面波器件划片工艺技术要求1范围2规范性引用文件下列文件中的文件，其随后所有的修改单(不包含协议的各方研究是否可使用这些准。将晶4一般要求4.1人员工艺人员应具备a)需熟练掌握划片专业岗位技术培训:b)熟悉操作规程、检验4.2环境划片工艺环境要求如下:a)0温度22oC土3C;b)相对湿度30%----70%;c)洁净度:不低于GB/T25915.1-2010中规定的ISO7级;d)洁净间应铺设防静电地板，操作台为防静电台面并接地，台面下安装防静电手环并接地;e)生产操作中使用的物品均应有防静电功能。4.3安全防护4.3.1人员安全人员安全要求如下:a)划片机主轴未完全停止前，严禁靠近刀片和主轴，以防被切伤;

3SJ21499-2018b)划片机工作时，严禁身体任何部位处于各轴运动的路线上，以防被撞伤;c)清洗机正作时，严禁身体任何部位进入设备内:d)UV照射机工作时，严禁眼睛直视UV光源;e)工作区内应有通风排风装置保证通风、送风良好。4.3.2设备安全设备安全要求如下:a)划片机工作过程中，不得让异物处于各轴运动的路线上，以防止撞伤设备;b)设备应配备紧急制动按钮:c)应配备灭火和排风设施。4.3.3环境安全环境安全要求如下:a)废水按环保要求，达标进行排放;b)废物应交由具有环保资质单位进行处理。4.3.4产品安全产品安全要求如下:a)工艺人员进入洁净间穿防静电净化服，并进行全身去静电处理;b)工艺人员工作时戴口罩、戴乳胶手套、套戴头套。4.4材料4.4.1主料主料为光刻检验合格的声表面波晶片。4.4.2辅料辅料及要求见表1。表1辅料及要求名称技术要求用途蓝膜厚度0.0ω8mm~γγl~户~、、~‘、』叶白、-贴膜uv膜厚度0.08mm~O.12illill，中等粘度贴膜压缩空气或氮气干燥、经过滤、无油，压力>O.6MPa吹干去离子水压力:二三0.3MPa，电阻率:二三13MQ'cm清洗、冷却4.5设备与工艺装备主要设备与工艺装备及要求见表2。2

4SJ21499一2018表2设备、工装及要求名称技术要求用途工作台表面为特氟龙涂层贴膜机真空吸附晶片，真空度:三三75kPa贴膜晶片定位误差:土2mm工作盘适配4英寸或6英寸标准贴片环主轴转速范围10000rpm~40000rpmX轴直线性0.005mmJ160mmY轴单步步进精度0.003mmø、轮划片机划片全程最大误差:士。.005mmZ轴重复精度0.001mm。轴行程00~320。0位置分辨率0.00018重复定位精度:土5"清洗机采用二流体清洗方式，最大转速不小于3000甲m，冲洗、甩干时间可调清洗2uv照射机:J't5.虽:二三100mW/cm降低膜粘性显微镜100倍~500倍检验贴片环不锈钢，适用3英寸或4英寸晶片，与划片机工作盘匹配划片夹具树脂刀片或金属刀片刀片厚度。05mm~0.15mm切割角度刀片:厚度0.3mm-0.5mm，角度300-120。周转盒适配贴片环装贴片环5详细要求5.1工艺流程声表面波器件划片的工艺流程如图1所示:Im~~t-→E量→Itf-ftJt~→|曝光(叫十→图1声表面波器件划片工艺流程5.2工艺技术要求5.2.1贴膜用贴膜机进行贴膜。工艺技术要求如下:a)晶片尽量居贴片环中央，位置偏差不超过2mm;b)确保品片与膜之间无气泡，若有气泡，应将晶片取下重新贴;3

5SJ21499-2018c)取放晶片时，避免晶片与贴膜机工作台发生摩擦，以防止晶片表面被擦伤;d)划片后若是手l取片，贴蓝膜，若是自动取片，则贴uv膜:e)0蓝膜贴膜后应进行烘烤，烘烤温度85oc士5C，烘烤时间30min以上。5.2.2切割用砂轮划片机进行切割。工艺技术要求如下:a)主要工艺参数(主轴转速、进刀速度、划切深度、测高间隔刀数)应根据晶片材料、晶片尺寸、以及刀片规格等进行设置，刀片应根据晶片材料选择。主要参数参考设置见表3;表3主要参数参考设置名称参考值备注主轴转速刀片规格以及实际切割效果来选进刀速度划切深度测高间隔刀b)片精度进d)5.2.3清洗切割完成后取a)确保贴片b)转速2000叩m面清洁无污。5.2.4曝光采用lN膜时，清洗后应用lN照a)膜面朝向光源:2b)照射时间不少于60s，确保曝光量不小于6J/cmo5.2.5检验检验要求如下:a)在显微镜下检查芯片表面应清洁无污:b)在显微镜下检查芯片表面指条应完整;c)在显微镜下检查芯片表面应无擦伤;d)目检膜不能被划穿:e)目检每一刀首尾在膜上都有切痕，即晶片全部划透。4

6SJ21499-20185.3标识、转运、储存5.3.1标识将合格产品和不合格产品分别标识并分离，标识内容包括产品型号、产品数量、合格数量、生产时间等，并填写生产记录。5.3.2转运合格产品与生产记录应一起，连同存储转运工装一起交到下道工序。转运过程中保持原有的合格特征，防止晶片掉落、碰撞，注意避免静电烧伤等。5.3.3储存合格产品与生产记录应一起贮存在指定的货架或工作台上。存放的环境:温度控制在22oC土3'C;相对湿度控制在30%""-J70%。5