制绒总结PPT课件

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1、制绒知识小结1单晶和多晶基本知识单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。2上料制绒HF清洗预清洗温水隔离纯水清洗纯水隔离盐酸清洗纯水清洗喷淋漂洗预脱水烘干下料1单晶制绒的工艺过程：单晶部分32、制绒的目的：1去除硅片表面的机械损伤层。2减少光的反射。酸洗的目的：1氢氟酸：去除表面氧化物。2盐

2、酸：去除金属离子。3、制绒的原理利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌。角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。反应式为：Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑44影响绒面质量的关键因素：好的绒面质量受哪些因素控制？时间温度其他硅酸钠含量异丙醇浓度NaOH浓度5、制绒工艺异常5工序故障表现诊断措施制绒清洗绒面稀疏、黑白相间、反射率偏高（所谓不出绒面说法）1NaOH与IPA比例失调。IPA含量过高，抑止反应进行，如IPA含量过高，向制绒液中补纯水和NaOHNaOH含量

3、偏低，不能充分进行反应。如NaOH含量偏低，向制绒液中补加NaOH表面清洁度不好经技术员确认后退库晶片承载器形成两条白边白边部份硅片反应不够充分，这部份对于无白边部分偏厚。提高NaOH含量浓度比增加0.1%~0.2%，如该现象较普遍，对承载盒作碱液浸泡处理。单晶硅片四边都有白边仍有白边部份硅片反应不够充分，这部份对中间无白边部份偏厚。换言之，整个硅片化学反应不够均匀，中间部份反应放热不易，导致反应激烈。降低反应温度（关闭加热5min），延长反应时间直至硅片表面全部发黑。雨点状有雨点状白色部份，显然该处反应缓慢造成那一部份偏厚，由于IPA的含量偏低无法

4、及时带走氢气，造成氢气泡粘附或氢气泡移动缓慢形成。轻微雨点，向制绒液中添加1-2瓶IPA延长反应时间直至雨点消失。2．雨点现象严重，添加1-2瓶IPA和0.3-0.6瓶NaOH延长反应时间至雨点消失。3．该现象非常严重，该筐硅片返工，该槽制绒液重新配制。如该现象普遍（每个制绒槽均出现），可能是由原材料不纯引起。通知技术员，由技术员分析确认原因并解决。绒面角锥体过大反应温度过高（显示温度与实际温度不符）经技术员确认后，通知设备人员调整。NaOH浓度过高，反应时间过长。下一筐补液时适当减少NaOH添加量或适当降低反应时间。类似水痕硅酸钠残留，制绒后没有保

5、持硅片湿润制绒后禁止将硅片长时间暴露在空气中6多晶部分上料制绒吹干水洗吹干碱洗水洗酸洗水洗吹干1、多晶制绒的工艺过程7去除硅片表面损伤层降低太阳光的反射形成利于PN结平整性的绒面2、多晶制绒的目的多晶硅采用酸制绒的方法，利用(HF+HNO3)混酸体系对多晶硅表面进行各向同性腐蚀。酸性腐蚀的反应机制，包含两个步骤，首先，是利用硝酸(HNO3)强氧化作用来氧化硅片表面，使硅表面生成一层(SIO2)，接下来硅晶表面所形成的氧化物(SIO2)，可被氢氟酸(HF)络合成可溶性络合物而去除，因此硝酸是一种强氧化剂，氢氟酸则为络合剂。步骤I：Si+2HNO3→Si

6、O2+2HNO22HNO2→NO+NO2+H2O步骤II：SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O总反应方程式：Si+2HNO3+6HF→H2SiF6+NO+NO2+3H2O3、多晶制绒原理82022/10/1994、影响绒面质量的关键因素：好的绒面质量受哪些因素控制？时间温度其他酸浓度比例10制绒作为常规太阳能电池制作工艺的第一步，绒面质量的好坏直接影响到后道工艺，下面简单介绍绒面到后道的影响：1.对扩散的影响：扩散工艺的主要目的是为了形成PN结，绒面质量的好坏直接影响PN的质量，绒面均匀性越好，PN结的平整性越好，电池开压越高。2.对刻蚀的影响：

7、湿法刻蚀的目的之一是形成背面抛光面，平整性好的绒面将宜于背抛面的形成。3.对PECVD的影响：绒面质量的好坏直接影响到镀膜时间，绒面致密、均应性好的绒面需要更长的镀膜时间；4.对丝网印刷的影响：绒面质量的好坏直接影响浆料的填充程度，浆料填充性差的绒面对电性能有不利影响，同时绒面的均匀性及深度将对串联产生影响。5、绒面质量对后道的影响11危险化学品基础知识１．定义：危险化学品是指化学品中具有易燃、易爆、有毒及腐蚀等特性，会对人员、设施、环境造成伤害或损害的化学品。２．分类：危险化学品分为８类，即：爆炸品；压缩性气体和液化气体；易燃液体；易燃固体、自燃物

8、体；氧化剂和有机过氧化物；毒害品和感染性物品；放射性物品；腐蚀品。12氢氧化钠1、理化性质氢氧化钠（NaOH