国产p沟道mos管SVGP15751PL3 -150v、-3A参数_骊微电子

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士兰微电子SVGP15751PL3说明书-3A、-150VP沟道增强型场效应管描述SVGP15751PL3P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士S18D兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较S27D低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。S36D该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。G45D特点56-3A，-150V，RDS(on)（典型值）=665m@VGS=-10V78低栅极电荷87低反向传输电容6453开关速度快211提升了dv/dt能力23100%雪崩测试4无铅管脚镀层PDFN-8-3.3×3.3×0.75-0.65符合RoHS环保标准关键特性参数参数参数值单位VDS-150VVGS(th)-2.0~-4.0VRDS(on),max750mID-3.0AQg.typ4.5nC产品规格分类产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式SVGP15751PL3TRPDFN-8-3.3x3.3x0.75-0.651575无卤编带杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0http://www.silan.com.cn共8页第1页

1士兰微电子SVGP15751PL3说明书极限参数（除非特殊说明，TA=25C）参数值参数符号测试条件单位最小值典型值最大值漏源电压VDS---150----V栅源电压VGS---20--20VTC=25C-----3.0A漏极电流IDTC=100C-----1.9A漏极脉冲电流（注1）IDMTC=25C-----12A耗散功率（注2）PDTC=25C----26WL=0.5mH，VDD=-50V，RG=25，单脉冲雪崩能量EAS----16mJ开始温度Tj=25C单脉冲电流IAS-------8.0A工作结温范围TJ---55--150C贮存温度范围Tstg---55--150C热特性参数值参数符号测试条件单位最小值典型值最大值芯片对表面热阻，底部RθJC------4.8C/W芯片对环境的热阻RθJA------59C/W回流焊：10±1sec，3times焊接温度（SMD）Tsold----260C波峰焊：2sec，1time10-0杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0http://www.silan.com.cn共8页第2页

2士兰微电子SVGP15751PL3说明书电气参数（除非特殊说明，Tj=25C）静态参数参数值参数符号测试条件单位最小值典型值最大值漏源击穿电压BVDSSVGS=0V，ID=-250µA-150----VVDS=-150V，VGS=0V，TJ=25C-----1.0漏源漏电流IDSSµAVDS=-150V，VGS=0V，TJ=125C---1.0--栅源漏电流IGSSVGS=±20V，VDS=0V----±100nA栅极开启电压VGS(th)VGS=VDS，ID=-250µA-2.0---4.0VVGS=-10V，ID=-1.4A--665750导通电阻RDS(on)mVGS=-6.0V，ID=-1.0A--715800栅极电阻Rgf=1MHz--11--动态参数参数值参数符号测试条件单位最小值典型值最大值输入电容Ciss--243--输出电容Cossf=1MHz，VGS=0V，VDS=-75V--24--pF反向传输电容Crss--2.2--开启延迟时间td(on)--2.2--VDD=-75V，VGS=-10V，开启上升时间tr--19--RG=1.0Ω，ID=-1.0Ans关断延迟时间td(off)--10--（注3，4）关断下降时间tf--21--栅极电荷量Qg--4.5--栅极-源极电荷量QgsVDD=-75V，VGS=-10V，ID=-1.1A--1.7--nC栅极-漏极电荷量Qgd（注3，4）--0.9--栅极-平台电压Vplateau--4.8--V反向二极管特性参数参数值参数符号测试条件单位最小值典型值最大值连续二极管正向电流ISTC=25C，MOS管中源极、漏极构成-----3.0A二极管脉冲电流IS,pulse的反偏P-N结-----12源-漏二极管压降VSDIS=-1.0A，VGS=0V-----1.4V反向恢复时间TrrIS=-1.0A，VGS=0V，--33--ns反向恢复电荷QrrdIF/dt=100A/µs（注3）--51--nC注：1.脉冲时间5µs；2.耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少0.21W/C；3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；4.基本上不受工作温度的影响。杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0http://www.silan.com.cn共8页第3页

3士兰微电子SVGP15751PL3说明书典型特性曲线图1.输出特性图2.传输特性510VGS=-4.5V-55°CVGS=-5.0V25°CVGS=-6.0V150°C4VGS=-7.0V)VGS=-10V)AA((IDID-3---12漏极电流漏极电流1注：注：1.250µs脉冲测试1.VDS=-5V2.TJ=25°C2.250µS脉冲测试00.101234523456漏源电压--VDS(V)栅源电压--VGS(V)图3.导通电阻vs.漏极电流图4.导通电阻vs.栅源电压1.03.0VGS=-6.0VTJ=25°CVGS=-8.0VTJ=150°C)0.9)2.5
VGS=-10V
((0.82.0DSONDSONRR--0.71.50.61.0漏源导通电阻0.5漏源导通电阻0.5注：TJ=25°C注：ID=-1.4A0.40.00.00.51.01.52.02.53.02345678910漏极电流--ID(A)栅源电压--VGS(V)图5.开启电压vs.温度特性图6.体二极管正向压降vs.源极电流和温度5100-55°C25°C)150°CV)()4A((thIDR10GS-V---312反向漏极电流栅源开启电压注：1.250µS脉冲测试注：ID=-250µA2.VGS=0V10.1-100-500501001502000.20.40.60.81.01.21.4结温-Tj(°C)源漏电压--VSD(V)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0http://www.silan.com.cn共8页第4页

4士兰微电子SVGP15751PL3说明书典型特性曲线（续）图7.电容特性图8.电荷量特性100012VDS=-120VVDS=-75V10VDS=-30VCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)100)Coss=Cds+CgdVCrss=Cgd(8)GSVpF-(10-6电容4栅源电压1Ciss注：2Coss1.VGS=0VCrss2.f=1MHz注：ID=-1.1A0.100306090120150012345漏源电压--VDS(V)总栅极电荷-QG(nC)图9.击穿电压vs.温度特性图10.导通电阻vs.温度特性1.23.0)DSS(ON2.5DSBV1.1–R-))2.0标准化1.0标准化1.5((1.00.9注：注：0.5漏源击穿电压1.VGS=0V漏源导通电阻1.VGS=-10V2.ID=-250uA2.ID=-1.4A0.80.0-100-50050100150200-100-50050100150200结温-TJ(°C)结温-TJ(°C)图11.最大安全工作区域图12.耗散功率vs.温度23010251)10)A100µsW((20IDD-1msP–10010ms–15DC10漏极电流此区域工作受限于耗散功率-1R10DS(ON)5注:TC=25°C-2100-1012310101010100255075100125150175漏源电压–-VDS(V)温度-TC(°C)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0http://www.silan.com.cn共8页第5页

5士兰微电子SVGP15751PL3说明书典型测试电路栅极电荷量测试电路及波形图与待测器件参数一致-VGSQg-10VVDSVGSQgsQgd待测器件Vgs(th)IgQg(th)Charge开关时间测试电路及波形图RLVDStd(on)td(off)trtftontoffVGSVGS10%RG待测VDD器件VGS90%VDSEAS测试电路及波形图L12BVDSSEAS=2LIASVDSBVDSSVDD-BVDSSID-IASRG待测VDD器件-ID(t)VGS-VDS(t)-VDDtpTimetp杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0http://www.silan.com.cn共8页第6页

6士兰微电子SVGP15751PL3说明书封装外形图PDFN-8-3.3x3.3x0.75-0.65单位：毫米D1DbHMILLIMETERSYMBOLMINNOMMAXD2A0.700.800.90L22A10.140.150.20E1Eb0.250.300.35ED3.053.153.25D13.103.303.50KD22.352.452.55E2.903.003.10E13.103.303.50e1LLE21.641.741.84e0.550.650.75H0.320.420.52K0.590.690.79L0.250.400.55L10.100.150.20L20.151AA重要注意事项：1.士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。2.客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。3.我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。4.在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。5.购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。6.产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！7.我司网站http://www.silan.com.cn杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0http://www.silan.com.cn共8页第7页

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