欢迎来到天天文库
浏览记录
ID：81782585
大小：250.04 KB
页数：3页
时间：2022-10-13
《mos管驱动电流计算【可编辑范本】》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
第一种:可以使用如下公式估算：Ig＝Ｑg/Tｏｎ其中:Tｏn=ｔ３-ｔ0≈td（oｎ)+ｔrtｄ(ｏｎ）：MＯＳ导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%开始到VＤS下降到其幅值9０%的时间。Tr:上升时间．输出电压VDS从9０％下降到其幅值1０％的时间Qg＝（ＣＥI)（ＶGS）或Qｇ=Qgs+Qgd+Qｏd （可在dａｔａsｈeet中找到） 第二种:(第一种的变形）密勒效应时间（开关时间)Ton/oｆｆ=Qgｄ／Ig;Ig＝［Ｖb—Vgｓ(th)]/Rｇ；Ig：MＯS栅极驱动电流;Vb：稳态栅极驱动电压; 第三种:以ＩR的IRF640为例,看ＤAＴAＳHEET里有条Toｔaｌ GateＣｈarge曲线．该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通(密勒效应）假定你希望在０．2us内使管子开通,估计总时间（先上升然后水平再上升）为0。４ｕs,由Qg＝6７nＣ和0。4us可得:67nC/0。４us=０．16７5A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0。2ｕs里有电流,其他时间几乎没有电流,平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢．
1
2
此文档下载收益归作者所有
举报原因
联系方式
详细说明
内容无法转码请点击此处
