奈米电子共同实验室使用者联盟

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1、奈米電子共同實驗室使用者聯盟雙月Newsletter第一期2002.12.10電子報(2002/12)目錄電子所奈米電子計劃簡介.............................................................................................3技術專文-1LithographyinITRS2001..............................................................................7技術專文

2、-2淺談相變化記憶體.....................................................................................12產業新聞...........................................................................................................................21產業評析－全球奈米半導體技術發展現況........................

3、........................................23一、全球奈米技術主要發展方向...........................................................................23二、尺度微縮的奈米技術........................................................................................24三、量產中的MRAM及OUM....................

4、...............................................................24四、奈米顯示技術－CNT-FED...............................................................................25五、其它前瞻技術..................................................................................................

5、..25市場統計－新型記憶體..................................................................................................25一、產品技術.............................................................................................................25二、市場預估...............................

6、..............................................................................26三、成功因素.............................................................................................................262002/12-2奈微米共同聯盟實驗室電子所奈米電子計劃簡介電子所在過去30年研發數代積體電路元件，也成功地建立起台灣的IC產業。隨著業界研發

7、設計能力的不斷提昇，電子所的角色業已改變，從領導元件、科技研究、及研發更先進的台灣IC產業，切入到奈米的時代，各式各樣的IC元件技術變得更多樣複雜，同時，研發設計的風氣和智慧財產的創造正在世界各個角落蓬勃展。電子所自從1991年以來在八吋與四吋的實驗環境中，積極投入研發，希望能研發可被大量生產的技術與產業效益的智慧財產。為研發一個具體且可量產的技術，研發技術包含元件設計、測試鍵設計、製程研發、及良率的確認等各層面。研究的主題包括:-磁性記憶體元件及製程開發-矽鍺光偵測器與高速IC之單晶片化技術-160GHz碳參雜矽鍺HBT與MOS

8、光偵測器-綠色電子元件(Greendevice：SiCUMOSFET)-新穎元件開發：奈米碳管電子元件、單電子電晶體元件、鍺量子井LED(lightemittingdiode)磁性記憶體(MRAM)本技術開發的主要目的在於建立磁性記憶體(MRAM)