基于氧化锡和碳双层薄膜的表面发射阴极阵列的制作

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1、基于氧化锡和碳双层薄膜的表面发射阴极阵列的制作FabricationofSurfaceEmissionDisplaycathodearraybasedonSnOx/Cfilms(申请清华大学工学硕士学位论文)培养单位：电子工程系学科：物理电子研究生：徐亿勇指导教师:李德杰教授二○○七年五月关于学位论文使用授权的说明本人完全了解清华大学有关保留、使用学位论文的规定，即：清华大学拥有在著作权法规定范围内学位论文的使用权，其中包括：（1）已获学位的研究生必须按学校规定提交学位论文，学校可以采用影印、缩印或其他复制手段保存研究生上交的学位论文；（2）为教学和科研目的，学校可以将公开的学位论文作为资料在

2、图书馆、资料室等场所供校内师生阅读，或在校园网上供校内师生浏览部分内容；（3）根据《中华人民共和国学位条例暂行实施办法》，向国家图书馆报送可以公开的学位论文。本人保证遵守上述规定。（保密的论文在解密后遵守此规定）作者签名：导师签名：日期：日期：摘要本文主要研究利用氧化锡作为起伏层制作双薄膜型场发射显示(DF-SED，DoubleFilmSurfaceEmissionDisplay)器件，证明基于SnOx的DF-SED薄膜制造工艺能够与电极等其它工艺相兼容，从而提供一种简单而廉价地制造场发射平板显示器件的方法。在试验了多种薄膜的发射特性的基础上，成功制作了一个小型SED平板显示阴极阵列。论文首先

3、简要介绍了SED的发展情况和现状。然后阐述了DF-SED的原理和设计思路，即通过起伏层和传导层相结合的方法，放宽材料的选择余地，并且大大减少了激活时间和生产成本。通过对Bi2O3、SnOx、阳极氧化Al2O3、热氧化Al2O3等多种起伏层的试验和比较，选定SnOx作为下一步阴极发射阵列的起伏层材料。在器件制作方面，文章给出了基于SnOx/C的DF-SED阴极阵列的详细的器件设计、工艺流程和工艺参数。并对所得的的30*30的DF-SED阴极阵列进行了测试。测试结果表明基于SnOx的DF-SED阴极阵列能够产生均匀稳定的电子发射，为小型DF-SED器件的制作打下了基础。关键词：平板显示表面传导发射

4、SnOx/C阴极阵列AbstractTheSnOxisintroducedasroughfilminDF-SED(DoubleFilmSurfaceEmissionDisplay)device;acathodearraywassuccessfulfabricated;soSnOxisprovedtobecompatiblewithotherfabricationprocessofDF-SEDdevice,providingasimpleandcheapwaytofabricateDF-SEDdevice.TwomodelsofSEDarepresented:Multipleelectronsc

5、atteringmodelandFissurefieldemissionmodel.DesignofseparateroughfilmandconductingfilmofDF-SEDmakethechoiceofmaterialbecomemucheasier.EmissionpropertiesofBi2O3,SnOx,