省级科技咨询单位查新报告

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1、省级科技咨询单位查新报告　　项目名称：JH-1W功率半导体照明器件研制 委托人：** 委托日期：XX年1月18日 查新机构：**市科技信息研究所 查新完成日期：XX年1月26日 **省科学技术厅 　　查新项目中文：JH-1W功率半导体照明器件研制 名称英文：无 名称**市科技信息研究所 　　通信地址**市文化西路82号邮政编码250001 　　查新机构负责人高鹏霄电话0531-82062626传真0531-82064469 　　联系人于翠敏电话0531-82066286 电子信箱jnstijn.gov.cn 一、查新目的 **市科技计划立项 二、查新项目的科学技术

2、要点 　　研制可替代普通照明产品的功率半导体照明产品，达到节能降耗的目的。 　　采用大工作电流的功率型LED芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构，解决功率半导体照明器件的散热难题。采用不同于普通LED封装技术的全新封装工艺、材料及设备。 　　功率半导体照明器件能耗约为白炽灯的1/10，寿命却可以提高100倍。 计划年生产能力200万支。 三、查新点与查新要求 　　1．散热技术的创新：在芯片下部加铜或铝制热沉、采用半封装结构、二次散热结构、填充透明度高的柔性硅改性环氧材料。 　　2．高效率出光：功率型芯片的倒装封装及大规模生产技术。 　　3．透镜技术的创新：

3、反光装置、高分子有机材料、透光率95％。 四、文献检索范围及检索策略 国内部分： 　　中国科技成果数据库数据年限：1985年—XX年8月 　　中国科技成果交易信息数据库数据年限：1984年—2001年 　　**省科技成果数据库数据年限：1986年—2003年 　　**省科技查新数据库数据年限：1986年—XX年11月 　　中国科技经济新闻数据库数据年限：1990年—XX年11月 　　中国专利数据库数据年限：1985年9月—XX年9月 　　中文期刊数据库数据年限：1989年—XX年11月 　　中国学术会议论文数据库数据年限：1979年—XX年9月 　　中国学位论文数

4、据库数据年限：1977年—XX年6月 中国科技文献数据库数据年限：1999年 检索策略： 　　1.半导体照明2.功率型LED3.散热4.倒装5.封装6.透镜 　　7.反光8.反射9.高分子有机材料10.透光率 　　(1+2)*(3+4+5+6+7+8＋9＋10) 五、检索结果 密切相关文献2篇： 　　No.1新闻标题：提高取光效率降低热阻功率型LED封装技术面对挑战 　　刊名：中国电子报出版日期：XX-04-09 作者：李小红柴储芬彭万华 　　关键词：取光效率热阻功率型LED封装技术LED芯片 　　对于大工作电流的功率型LED芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的

5、封装结构是功率型LED器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热；甚至设计二次散热装置，来降低器件的热阻。在器件的内部，填充透明度高的柔性硅橡胶，在硅橡胶承受的温度范围内(一般为-40℃～200℃)，胶体不会因温度骤然变化而导致器件开路，也不会出现变黄现象。 No.2题名：大功率照明级LED之封装 机构：量子光电子有限公司 刊名：照明年：XX期：5作者：刘镇 　　关键词：大功率照明级LED器件封装技术散热结构物理特性半导体照明器件 　　文摘：大功率LED器件必将取代小功率LED器件成为半导体照明主流

6、的器件，而解决随之出现的高效散热问题及高输出光率问题将是大功率LED器件研发的重点。文章结合实际操作和工艺要求，着重阐述了现阶段解决大功率LED封装问题的方法。 1.硅底板倒装法 　　首先制备出适合共晶焊接电极的大尺寸LED芯片(FlipChipLED)，同时制备出相应尺寸的硅底板，在其上制作出供共晶焊接的金导电层并引出导电层(超声金丝球焊点)。然后，利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理，即考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是目前主流的HighOutputwerChipLED生产方式。 2.陶瓷底板倒装法 　　先利用LED晶片

7、厂通用设备制备出适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在其上制作出共晶焊接导电层及引出导电层。然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑了散热问题，而且所采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热的效果非常理想，价格又相对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间。 3.热沉散热 　　我们经过两年的实验对比发现的最佳做法是：连接芯片部分采用铜基或银基热沉，再将该热沉连接在铝基散热器上。这是一个阶梯型导热结构，利用铜或银的高导热率将芯片产生的热量高效传递到

8、铝基散热器