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1、八章禁带比较宽10.一阶张量,极性晶体11.电子位移极化,离子位移极化,固有电偶极的取向极化,空间电荷极化12.晶体的自发极化随温度而变化的现象;红外探测器件13.一1-5DBAAD7CAB8A9.定;不一定14.热释电性质:晶体所表现出的自发极化随温度而变化的性质.15.压电效应:在应力作用下,一些电介质发生极化,在对应的晶面上产生电荷的现象.16.答:热释电性质是晶体的自发极化随温度而变化的性质.要求:红外吸收系数大,热容较小,介电常数小,介电损耗小,密度小且易加工成型.17.18.答:一些热释电材料自发极化反转极化
2、需要较高的外加电场,如需要电场高于击穿电压,材料就无法表现出铁电性质,因此从材料的内禀性质上讲,铁电材料与热释电材料属于同一类.具有铁电性质的材料一定具有热释电性质,但具有热释电性质的材料不一定具有铁电性质.19.答:四方结构的BaTiO3具有热释电性质和铁电性质.因为是极化晶体且具有自发极化,不需要较高的外加电场.立方体结构的BaTiO3不具有介电性质.压电性质.热释电性质.因为是非极化晶体,且具有中心对称.20.答:在没有外电场存在时,石英晶体沿三个极轴方向极化,但三个方向上的极化互相抵消,因此晶体不表现宏观电极性.
3、当沿一个极轴方向压缩或拉伸时,3个方向上的极化强度发生变化,表现出压电性质;而在受热均匀时,电荷沿各个极轴的位移是相同的,因此正负电荷中心保持重合,不会表现热释电性质.九章12.C3.C4.C5.C6.A7.C8.第一类，第二类超导体。9.阳离子导体；阴离子导体10.强电子—声子耦合11.零，电子，声子12.正常态；超导态13.零电阻，完全抗磁性14.迈斯纳效应15.导带，价带16.电子迁移；空穴17.自由电子；电子；空穴18.超导：在有限温度下材料的电阻发生突变转变为零的现象。19.超导转变温度：在没有磁场存在下，材料
4、由正常态转变为超导态的相变温度。、20.超导体：在有限温度下，具有超导性质的一类材料。21.掺杂原子掺杂能级载流子n型半导体磷，砷等核电荷数高于硅的第V族元素施主能级电子p型半导体铝，镓等核电荷数小于硅的第III族元素受主能级空穴22.答:Hall效应原理,对于空穴导电的P型半导体，沿电场方向运动的空穴受到沿y方向的Lorentz偏转力，使空穴产生沿y方向的运动，此方向上的电荷积累使y方向产生附加电场Ey。23.答：晶体的部不完整性在主要有两个方面的来源：当体系温度高于热力学零度时，金属原子产生热运动。实际晶体中总有各种
5、各样的晶格缺陷，破坏了晶体的周期性，使电子波散射，产生所谓的剩余电阻。十二章1D2D3C4D5A6B7D8辐射发光冷光源91x10-6（1ppm）10硅光电池光电倍增管11漫反射光谱激发光谱发射光谱12敏化剂激发剂13上转化过程下转化过程14温度性好，发光效率高，色纯度好15能量，相位，方向，偏振16高温下剧烈振动产生的。17-20xxxx21冷发光：电子在不同能级之间越迁产生，涉及低得多的热效应22上抓化过程：材料吸收两个能量较低的光子，这两个光子叠加发射出一个能量高于激发光子能量的荧光，其量子效率不会超过0.5。23
6、下转化过程：材料吸收一个能量较高的光子，发射出两个能量远低于激发光子的光子，在种发射过程中，量子效率大于1。24浓度猝灭：当激活剂的浓度达到并超过一定的数值后，发光效率不再提高,反而开始下降,这种现象为浓度猝灭.25复合发光中心:发光中心的激活剂离子的外层电子受到周围晶体场的作用强,以致发光中心在受激发时发生电离,电离的电子进入晶体的导带,参与晶体的光电导作用,电子与空穴在发光中心复合,释放出能量以可见光的形式发射出来.26答:基矢,LaPO4敏化剂,Ce3+激活剂，Tb3+27答：stakes位移：激发光与发射光的能量
7、差。发反stakes位移：材料吸收两个能量较低的光子，这两个光子叠加发射出一个能量过高于激发光子的荧光，此过程中吸收光子的能量和发射光子能量的差值。28当体系吸收电磁辐射能量时,便发生从基态g向激发态e的跃迁.吸收能量跃迁在激发态后,体系很快回到激发态的最低能级.在激发过程中,激发能△EAB一般大于发射能EEM,而吸收光谱的波长一般短于发射光谱的波长.这一规律为stakes定律.激发光与发射光的能量差为stakes位移△Q=Qo'-Qo.当温度足够高时,电子占据的激发态振动能级可以达到两抛物线相交的地方,激发态的能量通过
8、交叉处以无辐射过程转化为晶格的热振动,使体系回到基态,这一过程为温度猝灭现象.29答:a,激发光谱.b,反射光谱.c,发射光谱.该反应不同激发光对应不同激发光对所考擦的发射激发效率的变化.激发光谱反应了材料对光的吸收并转化成发射光谱的总效果;反射光谱表示材料对光的吸收情况;发射光谱表示材料发射能量随波长的变化,可知材
