离子注入技术Implant

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1、--离子注入技术摘要离子注入技术是当今半导体行业对半导体进展掺杂的最主要方法。本文从对该技术的根本原理、根本仪器构造以及一些具体工艺等角度做了较为详细的介绍，同时介绍了该技术的一些新的应用领域。关键字离子注入技术半导体掺杂1绪论离子注入技术提出于上世纪五十年代，刚提出时是应用在原子物理和核物理究领域。后来，随着工艺的成熟，在1970年左右，这种技术被引进半导体制造行业。离子注入技术有很多传统工艺所不具备的优点，比方：是加工温度低，易做浅结，大面积注入杂质仍能保证均匀，掺杂种类广泛，并且易于自动化。离子注入技术的应用，大大地推动了半

2、导体器件和集成电路工业的开展，从而使集成电路的生产进入了大规模及超大规模时代〔ULSI〕。由此看来，这种技术的重要性不言而喻。因此，了解这种技术进展在半导体制造行业以及其他新兴领域的应用是十分必要的。2根本原理和根本构造2.1根本原理离子注入是对半导体进展掺杂的一种方法。它是将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中而实现掺杂。-.word.zl---离子具体的注入过程是：入射离子与半导体〔靶〕的原子核和电子不断发生碰撞，其方向改变，能量减少，经过一段曲折路径的运动后，因动能耗尽而停顿在某处。在这一

3、过程中，涉及到“离子射程〞、“〞等几个问题，下面来具体分析。2.1.1离子射程图2.1.1〔a〕离子射程模型图图2.1.1〔a〕是离子射入硅中路线的模型图。其中，把离子从入射点到静止点所通过的总路程称为射程；射程的平均值，记为，简称平均射程；射程在入射方向上的投影长度，记为,简称投影射程；投影射程的平均值，记为，简称平均投影射程。入射离子能量损失是由于离子受到核阻挡与电子阻挡。定义在位移处这两种能量损失率分别为和：〔1〕〔2〕那么在内总的能量损失为：〔3〕〔4〕-.word.zl---的计算比拟复杂，而且无法得到解析形式的结果。图

4、2.1.1(b)是数值计算得到的曲线形式的结果。的计算较简单，离子受电子的阻力正比于离子的速度。左图中，时，图2.1.1〔b〕离子总能量损失率数值计算曲线图2.1.1〔c〕Sn>Se时离子路径图2.1.1〔d〕Sn

5、的末端局部又变成为折线。如图2.1.1〔d〕-.word.zl---2.1根本构造离子注入机总体上分为七个主要的局部，分别是：①离子源：用于离化杂质的容器。常用的杂质源气体有BF3、AsH3和PH3等。②质量分析器：不同离子具有不同的电荷质量比，因而在分析器磁场中偏转的角度不同，由此可别离出所需的杂质离子，且离子束很纯。③加速器：为高压静电场，用来对离子束加速。该加速能量是决定离子注入深度的一个重要参量。④中性束偏移器：利用偏移电极和偏移角度别离中性原子。⑤聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。⑥偏转扫描系统：用

6、来实现离子束x、y方向的一定面积内进展扫描。⑦工作室：放置样品的地方，其位置可调。图2.2离子注入系统示意图-.word.zl---2.1.1离子源根据离子源的类型分类，可以将其分为两类：等离子体型离子源、液态金属离子源〔LMIS〕。其中，掩模方式需要大面积平行离子束源，故一般采用等离子体型离子源，其典型的有效源尺寸为100mm，亮度为10~100A/cm2.sr。而聚焦方式那么需要高亮度小束斑离子源，当液态金属离子源〔LMIS〕出现后才得以顺利开展。LMIS的典型有效源尺寸为5~500nm，亮度为106~107A/cm2.sr。

7、液态金属离子源是近几年开展起来的一种高亮度小束斑的离子源，其离子束经离子光学系统聚焦后，可形成纳米量级的小束斑离子束，从而使得聚焦离子束技术得以实现。此技术可应用于离子注入、离子束曝光、刻蚀等。工作原理：E1是主高压，即离子束的加速电压；E2是针尖与引出极之间的电压，用以调节针尖外表上液态金属的形状，并将离子引出；E3是加热器电源。针尖的曲率半径为ro=1~5mm，改变E2可以调节针尖与引出极之间的电场，使液态金属在针尖处形成一个圆锥，此圆锥顶的曲率半径仅有10nm的数量级，这就是LMIS能产生小束斑离子图2.2.1液态金属离子源

8、工作示意图束的关键。当E2增大到使电场超过液态金属的场蒸发值〔Ga的场蒸发值为15.2V/nm-.word.zl---〕时，液态金属在圆锥顶处产生场蒸发与场电离，发射金属离子与电子。其中电子被引出极排斥，而金属离子那么被引出极拉出，形成离子束。假设