电子封装用sicp_al复合材料开发可研报告

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4、on.ParagraphFaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaahF电子封装用SiCp//Al复合材料开发与应用可行性报告一.项目的主要内容铝碳化硅（AlSiC）电子封装材料是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合，能满足多功能特性及设计要求，具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性

5、能的电子封装材料。在国际上，铝碳化硅属于微电子封装材料的第三代产品，是当今西方国家芯片封装的最新型材料。该复合材料的热膨胀系数比无氧铜低一半以上，且在一定范围内精确可控，比重仅为无氧铜的三分之一；与第一代kovar封装合金相比，导热率可提高十倍，减重三分之二；与第二代封装金属W/Cu、Mo/Cu相比，分别减重约83%和71%，且成本低得多。另外，SiCp/Al电子封装材料具备优异的尺寸稳定性，与其他封装金属相比，机械加工及钎焊引起的畸变最小，具有净成型、加工能力，可焊性也较好。自国际开发此类技术迄今十年多来，其

6、应用范围从军工领域逐步向民用电子器材领域扩展，目前已占据整个电子封装材料市场近乎50%的使用覆盖面。由于此项技术产品具有重要的军工价值，被欧美国家视为导弹、火箭和卫星制造等方面的尖端基础材料，始终作为高度机密技术加以封锁，该产品早已是我国急需的军工和民用市场上的空白高技术产品。项目组在前期研究基础上将进一步优化自创的无压渗透法工艺中温度、摸具、气氛、时间等工艺参数；研究不同基体成分制备工艺参数，增强相颗粒尺寸、形状、比例等对该材料的导热性及膨胀系数影响；研究新材料镀镍及镀金工艺包括镀槽成分、酸洗工艺、退火工艺等

7、，形成一套完整的铝碳化硅（AlSiC）电子封装零件制备工艺，制备出不同性能的电子封装材料和具体零件，为铝碳化硅（AlSiC）电子封装材料的产业化奠定基础。Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPointselection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.

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