氮化铝工业化生产建设项目可行性研究报告

《氮化铝工业化生产建设项目可行性研究报告》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、氮化铝工业化生产建设项目可行性研究报告八闽合成材料科技有限公司二〇一〇年一月17目录一、项目概况二、项目简介三、创新性和技术路线四、应用领域五、项目的特色六、企业的生产条件七、企业的技术功能八、经济效益17一、项目概况1、项目名称：氮化铝工业化生产建设2、项目投资导向：稀有、稀土金属深加工及其应用3、项目合作方式：资金技术合作4、项目建设性质：氮化铝粉末、氮化铝陶瓷生产5、项目承办单位：福建合成材料科技有限公司项目负责人：赵鑫纯联系电话：项目技术负责人：张群6、项目实施地点：沙洋高新技术开发区7

2、、项目建设项目期限2010年8月1日到2011年6月30日8、建设项目内容及规模：（1）购置工业生产用地11.77亩，建生产厂房3200平方米，实验和质量检测室、原料及成品库房900平方米，办公及生活用房1600平方米等主要建筑面积6000平方米。（2）招聘企业管理人员7人，专业技术人员5人，选聘培训生产技术工人26人。（3）购进先进生产设备及检测分析设备。9、总投资及资金筹措：项目总投资1500万元，建设资金来源企业自筹。10、效益简述。17（1）主要产品：氮化铝粉末、氮化铝陶瓷、氮化铝基板等

3、产品已在我国电力电子行业冶金石化行业，以及军事用途上开始广泛应用，市场潜力大。（2）经济效益：项目建成投产后，可实现年产值2720万元，实现利税760万元。（3）社会效益：通过项目的实现可为我市研发生产高新材料提供更新更高的技术平台，实现产、学、研相结合，进一步推动高新材料的研究和发展，实现社会、企业、科研院校双赢。(4)环境影响：氮化铝工业化生产过程无有害气体和废弃物排放，是无毒无害产品。属非金属矿物制品业；属于国家鼓励的发展产业，可以达到环境保护指标要求。二、项目简介1、氮化铝（AlN）简介

4、AlN是自然界中不存在的一种物质，只能通过人工合成获得。其主要特性包括：1）有高的导热系数，其热传导能力大于金属铝，约为Al2O3陶瓷的10倍；2）低的热膨胀系数，与硅的相近，因此，以AlN陶瓷为基板或封装材料制成的电子元件具有很高的热稳定性；3）高的机械强度，同Al2O3陶瓷相比室温强度相近，但高温强度大于Al2O317陶瓷，因此AlN陶瓷可作为高温结构材料使用；4）化学稳定性好，AlN对许多熔融金属和熔盐以及高温化学气体有优异的抗腐蚀性，因此AlN陶瓷是一种理想的高温抗蚀材料。由于AlN陶瓷

5、具有上述优良的性质，AlN陶瓷在许多领域将有广泛的应用。目前，人们普遍认为，这些领域主要包括：电力电子行业所使用的散热基片和封装材料、冶金石化等行业使用的高强抗蚀材料。1、项目背景1989年美国Lanxide公司发明了一种十分新颖的称为金属直接氧化法的陶瓷材料制备技术，又称Lanxide技术。这项技术一问世，就引起了世界材料界的广泛关注，各国纷纷投入资金进行跟踪研究。1991年，我国将此列为首批“863”国家高技术项目；1992年，该项目又获得国家自然科学基金的资助，批准号分别为：863-715

6、-09-5和，两个项目都包含了AlN材料合成技术方面的研究内容。王群教授当时作为主要成员直接参与了这两项科研工作，并在此基础上，完成了他本人的博士论文《LanxideAlN材料的合成机理》。在以后的几年间，该项研究又先后多次获得国家、省部级科研资助，其中包括：国家自然科学基金（批准号：）中国博士后科研基金辽宁省自然科学基金国家教委科研基金17王群教授负责完成了以上几项科研项目。鉴于他本人所从事的这项具有一定创新性的科研工作和取得的前期成果，王群教授获得了北京市科技新星的称号，并得到北京市科委的专

7、项资助：高导热AlN/SiC陶瓷复合材料的制备技术和器件化研究。通过多年的努力，目前已开发出具有我国自主知识产权、适宜于工业化生产的自反应合成AlN粉体技术。2000年申报了国家发明专利“氮化铝粉体的反应合成方法”受理号为：.3。3、国内外发展状况随着电子技术向着小型化、高速化、高集成度方向的发展，元件的热耗散问题越来越引起人们的广泛重视。许多电子设备在使用过程中由于个别元件的温度升高，造成整个系统的稳定性降低、可靠性下降，有时甚至还会出现高温烧毁现象。该现象主要在如下器件中经常出现：1)微电子

8、器件与电路;2)电力电子器件与模块;3)真空电子器件。可见散热好坏直接影响到电子设备的寿命和运行状况。这使得人们在不断开发新型电子产品的同时，也在寻求与器件发展相适应的先进散热技术，最为典型的就是计算机内的CPU散热技术。所以说，散热技术已成为电子器件发展的关键，而研制高导热陶瓷材料又是散热技术的核心内容。由于目前市场上的电子元件多采用Al2O3陶瓷作为基板材料，这种基板材料已不能满足元件高散热性的要求，急需开发新型高导热基板及封装材料，在这种情况下，AlN陶瓷材料应运而生。据报道，日本的氮化铝