核工程与核技术毕业设计（论文）-几种不同规格hpge探测器探测性能mcnp模拟

《核工程与核技术毕业设计（论文）-几种不同规格hpge探测器探测性能mcnp模拟》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、毕业设计（论文）题目：几种不同规格HPGe探测器探测性能MCNP模拟英文题：SeveraldifferentspecificationsHPGesimulationdetectorperformanceMCNP学生姓名：专业：核工程与核技术班级：指导教师：二零一一年六月摘要高纯锗（HPGe）探测器是近几年来迅速发展的一种新型半导体探测器。这种探测器克服了Ge（Li）探测器存在的生产周期长、需在低温下保存等缺点。它的出现使得复杂核素的能谱定量分析成为现实。大大推动了核能谱学的发展。通过保持晶体的长度改变探测器晶体半径的大小，用光子和电子耦合输运MCNP程序的电子脉冲计数类

2、型的能量展宽模拟计算HPGe探测器的γ能谱。MCNP程序提供能峰高斯展宽的模拟方法也可以用于计算HPGe晶体对γ射线的探测效率等方面研究，对实验结果的可靠性和准确性提供依据。并通过MCNP计算，能量分辨率、峰康比、峰总比，与参考文献的实验结果符合较好，显示了MCNP用于模拟可行性。论文通过MCNP的模拟，比较不同规格的HPGe探测器γ射线探测性能，比与参考文献的实验结果一致，说明MCNP模拟得到的数据时可靠的，而且MCNP程序完全可以代替实验。关键词：高纯锗探测器、蒙特卡罗模拟、探测性能AbstractHPGeisahighrapiddevelopmentsemicon

3、ductordetectorinlastfewyears.ItovercomestheGEdetectors(LI)detectorlongproductioncycletimeandlowtemperaturesstorage,andsoondisadvantage.Itleadscomplexquantitativeanalysisofgammaspectrumradioisotopetorealization.Immenselyhelpthedevelopmentofnuclearannihilation.MCNPprogramprovidesenergypeak

4、broadeningGaussiansimulationmethodwhichcanalsobeusedtocalculatetheHPGeandtostudythecrystalonefficiencyofγ-raydetectionthusprovideevidenceonthereliabilityandaccuracyoftheexperimentalresults.CalculatedbyMCNPofenergyresolution,peakhealthandthanthepeak,andingoodagreementwiththeexperimentalre

5、sultsofreferences,whichshowingthefeasibilityofMCNPtosimulationByMCNPsimulationandcomparisonoftheγ-rayfunctionsofdifferentspecificationsoftheHPGedetectordetection,thispapershowsthereliablabilityofthesimulationdata.What’smore,theMCNPprogramcanCompletelyreplacetheexperiment.Keywords：HPGedet

6、ector、MonteCarlosimulation、Detectionperformance朗读显示对应的拉丁字符的拼音字典目录绪论11HPGe探测器的介绍41.1高纯锗探测器工作的基本原理41.2高纯锗探测器的结构41.3高纯锗探测器的性能71.3.1能量分辨率71.3.2探测效率81.3.3峰康比82蒙特卡罗方法92.1蒙特卡罗方法简介92.2MCNP基础92.3MCNP误差的估计102.4MCNP程序运行的结构112.5MCNP应用123实验模拟143.1建立蒙特卡罗模型143.2输入文件153.3模拟不同规格的高纯锗探测器的计算164数据分析204.1处理数据

7、204.1.1能量分比率204.1.2探测效率214.1.3峰康比225结论24致谢25参考文献26附录27东华理工大学毕业设计（论文）绪论绪论半导体探测器已经历了半个多世纪的不断发展，探测器种类不断丰富，性能不断提高。它的工作原理与之前研究的气体探测器和闪烁探测器的基本一样，只是探测介质有所不同，半导体探测器的探测介质是半导体材料。它的主要优点是：(1)电离辐射在半导体介质中产生一对电子、空穴对平均所需能量大约为在空气中产生一对离子对所需能量的十分之一，即同样能量的带电粒子在半导体中产生的离子对数要比在空气中产生的约多一个数量级，因而电