2012年-模电总复习题

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1、一、判断选择题（1）(×)P型半导体带正电，N型半导体带负电。（2）(√)半导体中的空穴带正电。（3）(×)负反馈越深，电路的性能越稳定。（4）(√)零点漂移就是静态工作点的漂移。（5）(√)放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。（6）(√)镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（7）(√)引入直流负反馈可以稳定静态工作点。（8）(×)凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。(9)(×)实现运算电路不一定非引入负反馈。（10）(×)只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。二、选择题1.硅二极管的正向导

2、通压降比锗二极管的(A)。（A）大（B）小（C）相等2．稳压二极管稳压时，工作在(C)，发光二极管发光时，工作在(A)。A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区3.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F）状态。A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止4.当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCBuB,uBBuE。（A）>（B）<（C）=（D）≤5.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B），此时应该（E）偏置电阻。A、饱和失

3、真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小6.共集电极放大电路的负反馈组态是（A）。A、压串负B、流串负C、压并负7.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）8．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（A）。A．NPN型硅管B．NPN型锗管C．PNP型硅管D．PNP型锗管9.对功率放大器的要求主要是（B）、（C）、（E）。A、

4、U0高B、P0大C、功率放大D、Ri大E、波形不失真10.分析运放的两个依据是（A）、（B）。A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=111.集成运放的互补输出级采用(B)。（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法12.差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B）倍。A、1B、2C、313.为了使放大器带负载能力强，一般引入（A）负反馈。0iD/mA-4uGS/V5A、电压B、电流C、串联14．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结

5、型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管15．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。A．输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大16.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B），此时应该（E）偏置电阻。A．饱和失真B．截止失真C．交越失真D．增大E．减小17．差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移18．已知复合管V1的b1=30，V2的b2=50，则复合后的b约为（A）。OOtuItuo7题图A．1500B.80C.50D.301

6、9.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为B。（A）β（B）β2（C）2β（D）1+β20．若三级放大电路中Au1=Au2=30dB，Au3=20dB，则其总电压增益为(80)dB，折合为(104)倍。21.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成，即RC串并联选频网络和（D）。A．基本共射放大电路B．基本共集放大电路C．反相比例运算电路D．同相比例运算电路22.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。A．积分运算电路B．微分运算电路C．过零比较器D．滞回比较器23.在桥式（文氏桥）RC正弦波振

7、荡电路中，C。（A）φA=-1800，φF=+1800（B）φA=+1800，φF=+1800（C）φA=00，φF=0024.在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是B；既能放大电流，又能放大电压的电路是C。（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路25．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是(C)。A．不用输出变压器B．不用输出端大电容C．效率高D．无交越失真26.为了增大输出电阻，应在放大电路中引入（A）；为了展宽频带，应在放大电路中引入（D）。（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）

8、直流负反馈（D）交流负反馈二、填空题1．二极管最主要的特性是（单向导电性）。2．稳压管通常工作在(反向击穿)状态。3.双极型三极管是（电流）控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加（正向）偏置电压，集电极需要加（反向）偏置电压；场效应管是（电压）控制器件。4.某