闪存的发展历程23935

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2、988年，公司推出了一款256Kbit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。后来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个SRAM接口。第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短十倍，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NA

3、ND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、SD、MMC、xD、andPCcards、USBsticks等存储卡上。闪存的市场现状目前的闪存市场仍属于群雄争霸的末成熟时期。三星、日立、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。由于战略上的一些错误，Intel在去年第一次让出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之后。从今年第二季度起，Intel成功得走出低谷，利润收益明显上升。AMD闪存业务部门Spansion同时生产NAND和NOR闪存。它上半年的N

4、OR闪存产量几乎与Intel持平，成为NOR闪存的最大制造商。该公司在上半年赢利为13亿美元，几乎是它整个公司利润额（25亿美元）的一半以上。总体而言，Intel和AMD在上半年成绩喜人，但三星和日立却遭受挫折。据市场调研公司iSuppli所做的估计，今年全球的闪存收益将达到166亿美元，比2003年（116.4亿美元）上涨46%.消息者对数码相机、USBsticks和压缩式MP3播放器内存的需求将极大推动闪存的销售。据预测，2005年闪存的销售额将达到175亿美元。不过，iSuppli估计，2005年至200

5、8年闪存的利润增涨将有所回落，最高将达224亿美元。新的替代品是否可能？与许多寿命短小的信息技术相比，闪存以其16年的发展历程，充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初，闪存才初入市场；至2000年，利益额已突破十亿美元。英飞凌科技闪存部门主任，彼得曾说：“就闪存的生命周期而言，我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信，闪存的销售仍具有上升空间，并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌在今年初宣布，其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512MbNAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划采用170

6、纳米制造工艺，每月制造超过10，000片晶圆。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。此外，Intel技术与制造集团副总载StefanLai认为，在2008年之前，闪存将不可替代。2006年，Intel将首先采用65纳米技术；到2008年，目前正在研发的新一代45纳米技术将有望投放市场。StefanLai觉得，目前的预测仍然比较浅显，或许32纳米、22纳米技术完全有可能实现。但StefanLai也承认，2008年至2010年，新的技术可能会取而代之。尽管对闪存替代品的讨论越来越激励，闪存仍然受到市场

7、的重视。未来的替代品不仅必须是类似闪存一样的非易失性存储器，而且在速度和写周期上略胜一筹。此外，生产成本也应该相对低廉。由于现在制造技术还不成熟，新的替代品不会对闪存构成绝对的威胁。下面就让我们来认识一下几种可能的替代产品：Nanocrystals（纳米晶体）摩托罗拉的半导体部门Freescale正在研制一种增加闪存生命周期的产品。这种产品以硅纳米晶体（SiliconNanocrystals）为介质，用硅原子栅格代替了半导体内部的固态层。纳米晶体不是一个全新的存储技术。它只是对闪存的一种改进，使它更易扩展。它的

8、生产成本可以比原来低大约10-15%，生产过程更加简单。它的性能与可靠性都能够与目前的闪存相媲美。摩托罗拉花了十年时间研发这种技术，并打算大规模生产此类产品。去年六月，该公司已经成功地使用此技术推出了一款此类芯片。硅纳米晶体芯片预计会在2006年全面投放市场。MRAM（MagneticRAM磁荷随机存储器）MRAM磁荷随机存储器是由英飞凌与Freescale两家公司研发的一种利用磁荷来