珲春紫金矿业电气设备招标技术要求补充及更改

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1、珲春紫金矿业电气设备招标技术要求补充及更改一、高压TSC动态无功功率补偿柜1、高压动态无功功率补偿装置技术条件1.1能够根据电网系统无功功率大小和电压控制要求自动投切与调节，不需要人工干预，快速动态补偿无功功率，提高系统功率因数，保证系统功率因数不低于0.98；1.2高压动态无功功率补偿装置实时跟踪负荷变化，响应时间小于20ms；1.3采用全数字化智能控制系统，由微机实时监测、智能调节；1.4高压动态无功功率补偿装置采用进口厂家生产的大功率可控硅串联组成高压交流无触点开关，对多级电容器组的快速过零投切，能够实现无触点、无涌流、无过渡投切；1.5高压

2、动态无功功率补偿装置要求可控硅触发采用光电触发方式，主电路与控制电路的信号采用光纤传输，实现一次系统和二次系统完全隔离，高可靠性，高安全性，技术达到国际先进水平；1.6对光电触发控制系统、阀控系统进行特殊设计，避免谐波放大，避免谐波谐振，避免谐波危害电器设备的安全，避免由于谐波的原因造成电容器过载故障，实现无功补偿和谐波抑制并举的功能；1.7针对系统谐波影响，动态补偿装置要求抑制谐波电流主频带，改善电压畸变率，保证可靠、安全运行；1.8能就地补偿、稳定系统电压、抑制电压闪变，提高电网电压质量，提高电气设备的正常出力，降低线路损耗、变压器损耗；1.9

3、降低供电的视在功率，增加输变电设备线路的负荷能力，延长电气控制设备的使用寿命；1.10控制应具有高可靠性，而且操作简单，与系统联结时，不需要考虑交流系统相序，不会因为相序接错而带来烧坏可控硅或其他器件的现象；1.11实现电流过零投切，电容投切过程中无涌流冲击、无操作过电压、无电弧重燃现象，使用寿命长；1.12控制器实现全数字化，液晶显示，具有联网通讯功能，可查看时间、运行方式、投切组别、以及每段母线的电压、电流、功率因数；1.13根据负载无功和负荷波动情况，在规定的动态响应时间内，多级补偿一次到位；1.14电容器组全密封免维护，装置调容方便，安全可

4、靠；1.15采用串联电抗器，减小合闸涌流，保护电容器组可靠运行；1.16配备高压带电显示装置和观察窗、具有强制闭锁功能，确保维护人员的安全；1.17具有过压、欠压、开三角电压保护、过流和速断保护；1.18柜内元器件安装排列整齐，布线规范有序，标识清楚；柜内辅助元件继电器、按纽、指示灯、切换开关均采用国内名牌产品；1.19能对运行中的高压可控硅阀组中的任一支可控硅工作状态进行监测；1.20设备应该保护措施齐全，自动化程度高，能在外部故障或停电时自动退出，送电后自动恢复运行。2、设备技术规范2.1总体功能要求高压TSC动态无功补偿装置适合于10KV电力

5、系统的无功补偿，采用先进的美国西屋控制技术，利用可控硅投切并联电容器组，能够根据负荷变化动态调整补偿容量，实现对电压、无功功率的自动综合补偿与调节，避免老式电容柜死投造成的过补和无功倒送现象，使功率因数始终保持在0.98以上。高压TSC动态无功补偿装置具有降低网损、节约电能，提高供电质量等显著特点，由测量系统、控制模块、投切模块、电容器组及执行机构等单元组合而成。成套装置采用柜式结构，配有观察窗，便于系统监视、维护。同时柜门均设有行程开关，开门跳闸，保证人身安全。2.2关键元件技术要求2.2.1控制器：Ø型号：TSC-WHØ响应时间：小于20msØ

6、要求采用美国西屋技术，实现全汉字化菜单式操作，具有良好的人机界面，并具有串行通讯接口；智能判断、优化控制，动态响应。2.2.2晶闸管：Ø数量：5套(每组TSC采用1套阀组)Ø保护功能：均压、组容吸收、过流Ø设计保证晶闸管触发时刻一致，保证各晶闸管之间的静态均压Ø冷却方式：强制风冷3、高压TSC动态无功功率补偿器生产厂家应具有如下资质:3.1具有电容补偿柜生产资格，为国内专业生产高压动态无功补偿装置的名牌企业；3.2要求所生产的高压TSC动态无功功率补偿器具有国家权威机构武高所、西高所或沈高所的试验报告（投标时提供证明材料）；3.3要求生产厂家具有6

7、年以上的无功补偿装置的制造、销售历史，其产品在国内各大知名企业获得广泛应用（投标时提供营业执照）；3.4高压TSC动态无功补偿装置必须在国内销售20套以上，投标时提供至少3个厂家的证明材料；3.5生产厂家应通过ISO9001质量管理体系认证，投标厂家递交的资格证明文件必须包括该企业ISO9001质量管理体系认证证书。二、低压电容补偿柜1、功能要求TSC可控硅动态无功功率补偿器要求吸收美国西屋技术，采用大功率可控硅组成的无触点开关对多级电容器组进行快速无过渡投切，起到良好的补偿效果。TSC无功补偿器动态响应速度小于20ms，提高功率因数不低于0.98

8、，抑制谐波，改善电压质量，减少线路损耗，抑制谐波，改善电压质量，提高电气设备工作效率。要求控制器全智能控制，确保可控硅过零