一些简单的知识(半导体)

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1、一.中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件.半导体特殊器件.复合管.PIN型管.激光器件的型号命名只有第三.四.五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管.3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料.B-P型锗材料.C-N型硅材料.D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料.B-NPN型锗材料.C-PNP型硅材料.D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管.V-微波管.W-稳压管.C-参量管.Z-整

2、流管.L-整流堆.S-隧道管.N-阻尼管.U-光电器件.K-开关管.X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W).A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W).T-半导体晶闸管(可控整流器).Y-体效应器件.B-雪崩管.J-阶跃恢复管.CS-场效应管.BT-半导体特殊器件.FH-复合管.PIN-PIN型管.JG-激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二.日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:

3、用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管.1-二极管.2三极或具有两个pn结的其他器件.3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件.┄┄依此类推。第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管.B-PNP型低频管.C-NPN型高频管.D-NPN型低频管.F-P控制极可控硅.G-N控制极可控硅.H-N基极单结晶体管.J-P沟道场效应管.K-N沟道场效应管.M-双向可控硅。第四部分:用数字

4、表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从"11"开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大,越是近期产品。第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A.B.C.D.E.F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法三.美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级.JANTX-特军级.JANTXV-超特军级.JANS-宇航级.(无)-非军用品。第二部分:用数

5、字表示pn结数目。1-二极管.2=三极管.3-三个pn结器件.n-n个pn结器件。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分:用字母表示器件分档。A.B.C.D.┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级.2-三极管.N-EIA注册标志.3251-EIA登记顺序号.A-2N3251A档。四.国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国.法国.意大利.荷

6、兰.比利时等欧洲国家以及匈牙利.罗马尼亚.南斯拉夫.波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗.B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅.C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓.D-器件使用材料的Eg第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管.B-变容二极管.C-低频小功率三极管.D-低频大功率三极管.E-隧道二极管.F-高频小功率三极管.G-复合器件

7、及其他器件.H-磁敏二极管.K-开放磁路中的霍尔元件.L-高频大功率三极管.M-封闭磁路中的霍尔元件.P-光敏器件.Q-发光器件.R-小功率晶闸管.S-小功率开关管.T-大功率晶闸管.U-大功率开关管.X-倍增二极管.Y-整流二极管.Z-稳压二极管。第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号.一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A.B.C.D.E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如

8、下:1.稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A.B.C.D.