w电力电子技术复习重点

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1、一、填空题（本大题共14小空，每小空2分，共28分）1．晶闸管是四层三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和极。门2．一只额定电流为100A的普通晶闸管，其允许通过的电流有效值为A。1573．具有自关断能力的电力电子器件称为器件。全控型4．三相全控桥式整流电路中，采用共阴极组接法的三只晶闸管，要求其触发脉冲以1200为间隔，依次在电源电压的半周触发各晶闸管。正5．在考虑变压器漏抗影响时，整流电路输出电压的平均值将。减小6．三相全控桥式整流电路输出的电压波形在一个周期内脉动次。67．采用时间比控制

2、方式改变斩波器负载两端的平均电压，对斩波器触发脉冲的调制方法有三种，分别是；；。脉冲宽度调制；脉冲频率调制；调频调宽混合控制8．降压斩波器中，电源电压Ud=50V，导通比为0.8，则负载电压平均值ULD为。40V9．电流型逆变电路直流侧为，输出电流波形为。电流源；矩形波10．根据调制脉冲的极性，PWM也有两种调制方式，分别是和调制。单极性；双极性1、GTO的全称是，图形符号为；GTR的全称是，图形符号为；P-MOSFET的全称是，图形符号为；IGBT的全称是，图形符号为。33、门极可关断晶闸管、大

3、功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶体管。2、GTO的关断是靠门极加出现门极来实现的。33、负信号、反向电流。3、大功率晶体管简称，通常指耗散功率以上的晶体管。34、GTR、1W。4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是和。35、电流不够大、耐压不够高。1、普通晶闸管内部有PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。1、两个、阳极A、阴极K、门极G。2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。3、、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。

4、3、阻断、导通、阻断。4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示，7表示。4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。5、维持电流。6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。6、减小。7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。7、电阻、电感、反电动势。8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两

5、端接一个。8、减小、并接、续流二极管。9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。要求管子的额定电流值要些。9、小、脉冲、小、大。10、单结晶体管的内部一共有个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是极、极和极。10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止。11、峰点、谷点。12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定

6、的直流电压。12、同步、时刻。13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。13、正弦波、锯齿波。14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。15、关断过电压。16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。16、硒堆、压敏电阻。16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。16、快速熔断器。1、整流是把电变换为电的过程；逆变是

7、把电变换为电的过程。1、交流、直流；直流、交流。2、逆变电路分为逆变电路和逆变电路两种。2、有源、无源。3、逆变角β与控制角α之间的关系为。3、α=π－β4、逆变角β的起算点为对应相邻相的交点往度量。4、负半周、左。5、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或。5、顺极性串、逆变失败、逆变颠覆。6、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为。6、30°～35°7、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是状态、状态、状态和状态。

8、7、待整流、整流、待逆变、逆变。8、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为器。8、斩波。9、反并联可逆电路常用的工作方式为，以及三种。在工业上得到广泛应用的是方式。9、逻辑无环流、有环流、错位无环流、逻辑无环流。10、采用接触器的可逆电路适用于对要求不高、不大的场合。10、快速性，容量。11、某半导体器件的型号为KN100/50—7，其中KN表示该器件的名称为100表示，50表示，7表示。11、逆导晶闸管，晶闸管额定电流为100A，二极管额定电