《现代分析技术》复习题

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1、《现代分析技术》复习参考题99.12一、扫描电镜与电子探针1．电子与表面相互作用的物理过程及产物。2．什麽是激发深度？什麽是信息深度？了解它们对实际测量有什麽意义？3．扫描电镜成象原理及特点。4．比较SEM的二次电子象和背散射电子形貌象的特点。5．放大倍数、分辨率和景深的定义及三者之间的关系。影响SEM分辨率的主要因素。6．如何用双通道技术区分SEM背散射电子的形貌象和成分象？7．SEM二次电子形貌象成象机理，举例说明。8．几种常用电子源及其特点。9．闪烁体计数器工作原理。10．在电子探针中，试说明对于Z≥35的元素，为何不采用Kα线，而采用Lα和Mα线。11．电子

2、探针波谱仪的检测晶体，为什么先使(hkl)晶面弯曲成曲率半径为2R的柱面，再把外形磨成曲率半径R的柱面？12．电子探针能谱仪中硅检测器和多通道分析器的原理。二、扫描隧道显微镜与原子力显微镜1．STM的原理、特点和基本工作模式。2．AFM的原理及其关键技术。3．隧道结电流和距离、平均逸出功大致是什麽关系？隧道电流一般在什麽量级？针尖与表面距离每变化1A，隧道结电流大致改变多少？1．STM的分辨率与哪些因素有关？2．减小震动的基本途径。如何达到对大多数频率干扰，针尖－样品间隙的变化比基座振动的振幅小5个数量级？3．用STM和AFM测量样品形貌对样品各有什麽要求？4．如何

3、用AFM测量样品的弹性和塑性？5．控制微小距离移动方法。三、俄歇电子能谱1．什麽是俄歇跃迁？主要特点是什麽？WiXpYq俄歇跃迁的意义是什麽？什麽是C-K跃迁、超C-K跃迁？2．荧光过程和俄歇过程有什麽关系？为什麽随着原子序数增加分别使用KLL、LMM和MNN系俄歇跃迁？3．为什么检测到的俄歇电子反映的是表面信息？信息深度大约多少？4．俄歇电流大小与哪些因素有关？5．如何提高AES的信背比？微分谱与直接谱的区别。6．怎样识AES谱？如何进行元素定性分析？7．常用AES谱元素定量分析方法。8．如何利用俄歇电子能谱仪进行样品元素的深度分析？9．筒镜能量分析器原理。四、二

4、次离子质谱1．SIMS原理，主要特点。2．什麽是物理溅射？与哪些因素有关？用离子束扫描作深度剖面分析时会伴随哪些物理现象发生？如何提高深度剖面分析的深度分辨率？3．二次离子产额与哪些因素有关？4．什麽是SIMS分析中的基体效应？5．为什么SIMS分析中经常注氧？6．为什么经常采用Ar+、O-、或Cs+为一次离子束？7．什麽是静态SIMS？为什么说在静态SIMS分析中得到真正表面单层信息？8．SIMS识谱方法9．几种质量分析器原理10.定量分析方法五、晶体结构分析1．晶体点阵及其倒易点阵。2．表面重构概念。3．结构因数表达式及其物理意义。4．干涉函数表达式，式中各符号

5、的物理意义。主峰区的高和宽与哪些因素有关？5．劳厄方程的物理意义。6．爱瓦尔德图解作图法及物理意义。1．获得衍射斑点的充要条件。2．计算结构因子。3．晶体尺寸效应对衍射图形的影响。10．衍射的方向、强度和斑点形状分别与哪些因素有关？11．衍射仪的构成及工作原理。12．利用X射线双晶衍射仪评价晶体质量，确定晶格常数，测定异质外延层晶格匹配情况，三元混晶组分及超晶格参数的基本原理。13．RHEED原理，及其在MBE中的应用。六、综合1．电子、离子和光子与表面相互作用的物理过程。作为一次探束的特点与区别。2．了解各种分析仪器的工作参数和性能指标，了解它们的物理意义及一般使

6、用范围。3．对学过的部分分析技术进行总结比较，如：对几种检测元素方法(电子探针、AES、SIMS)的原理、检测灵敏度、信息深度及应用范围等进行比较。重点：〇基本原理、特点、用途及局限性(适用范围)。〇会根据需要了解的样品特性，知道应采用哪种或哪几种分析手段。〇由测试结果会正确提取信息。