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时间:2018-01-15
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1、氧化铝及硅作为LED封装基板材料的热阻比较分析高功率LED散热一直是一个难题,困扰着LED技术人员,图1为目前高功率LED封装使用的结构,LED芯片会先封装在导热基板上,再打金线及封胶,这LED封装结构体具备轻巧,高热导及电路简单等优点,可应用在户外及室内照明。基板的选择中,氧化铝(Al2O3)及硅(Si)都是目前市面上已在应用的材料,其中氧化铝基板因是绝缘体,必须有传导热设计,藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体,但绝缘性不良,必须在表面做绝缘处理。 图1、LED封装结构氧化铝基板及硅基板目前皆已应用于高功率LED的
2、封装,由于LED发光效率仍有待提升,热仍是使用LED灯具上必须解决的重要问题,因此LED导热功能必须仔细分析。要分析导热功能必须使用热阻仪来量测,以下的分析将细分LED封装体结构,包括芯片层,接合层及基板层,来分析每层热阻,分析工具则是目前世界公认最精确的T3Ster仪器。本文将简单解析氧化铝基板及硅基LED板封装在热阻的表现(T3Ster仪器实测),其中专有名词定义如下:Rth:热阻,单位是(oC/W),公式为T/KA;T:导热基板的厚度(um);K:导热基板的导热系数(W/mC);A:导热面积(mmxmm)。 图2、E公司
3、氧化铝基板的LED封装热阻分析 将氧化铝应用在LED封装主要是因为氧化铝材料高绝缘性及可制作轻小的组件,然而,氧化铝基板应用在电子组件,会因为氧化铝材料导热系数低(约20K/W),造成高热阻。图2为T3Ster热阻仪测试E公司氧化铝基板封装LED(LEDarea:1x1mm;LEDemitter:3.15x3.5mm))的结果,在25oC环境温度下测试时,各封装层的热阻如下:1、Chip:2oC/W2、Bondinglayer:3oC/W3、氧化铝基板:20oC/W(高热阻,基板制作不佳)当175mA小电流通入在1x1mm²的LED
4、芯片上,氧化铝基板因热阻的温升为10.5oC(=20x175mAx3.0V),热不易传导出LED芯片;当350mA电流通入在1x1mm²的LED芯片上,氧化铝基板因热阻的温升为23oC(=20x350mAx3.3V),此时氧化铝基板会无法将热传导出LED芯片,LED芯片会产生大量光衰;而当500mA大电流通入在1x1mm²的LED芯片上时,氧化铝基板因热阻的温升大约为36oC(20x(500Ax3.6V),此时氧化铝基板也会无法将热传导出LED芯片,LED芯片会快速光衰。因此,LED芯片封装若选择氧化铝基板,因其热阻高,封装组件只适
5、合使用在低功率(~175mA,约0.5W)。 图3、R公司氧化铝基板的LED封装热阻分析 图3为T3Ster热阻仪测试氧化铝基板封装LED(LEDarea:1x1mm;LEDemitter:3.15x3.5mm))的结果,在25oC环境温度下测试时,各封装层的热阻如下:1、Chip:2oC/W2、Bondinglayer:1.5oC/W3、氧化铝基板:4.7oC/W(氧化铝基板厚度:400um,铜层厚度75um)当175mA小电流通入下,其基板因热阻温升为4.7oC;当电流来到350mA,基板温升为6.9oC,当500mA电
6、流通入时,基板温升大约为8.1oC,及当700mA大电流通入下,基板因热阻温升大约为11oC.当氧化铝基板温升大于8oC,此时氧化铝基板会不易将热传导出LED芯片,LED芯片会快速光衰。LED芯片封装在氧化铝基板,封装组件只适合始使用功率(~350mA,约1watt)。 图4、VisEra硅基板LED封装热阻分析 应用以硅为导热基板的LED封装,如图4所示,在3.37x3.37mxm2的小尺寸面积上,具有快速导热的性能,可大幅解决因为使用氧化铝造成的高热阻问题。以精密的量测热阻设备(T3Ster)量测到的热阻值,在25oC环境温
7、度下测试时,各封装层的热阻如下:1、Chip:1oC/W2、Bondinglayer:1.5oC/W3、Sisubstrate:2.5oC/W当大电流(700mA)通入在1x1mm²的LED芯片上,硅基板因热阻的温升为6.3oC(=2.5x700mAx3.6V),硅基板会快速将热传导出LED芯片,LED芯片只会有小量光衰。硅藉由优良导热性能将热传导出LED芯片,LED芯片会只会有小许光衰。因此,LED芯片封装在硅基板上适合于大功率使用(~700mA,约3W)。因为硅基板制作及LED封装在硅基板,技术难度非常高,目前只有少许公司具备。
8、硅作为LED集成封装基板材料的热阻低于氧化铝基板材料,应用于大功率时,硅基板为好的选择。总体LED封装热阻经T3Ster实测结果比较如下:LEDSi封装:VisEra:5oC/WLED氧化铝,E公司:25oC/WLED氧化铝封装,R公
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