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时间:2018-01-14
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1、第二章第三章3.某机为定长指令字结构,指令长度16位;每个操作数的地址码长6位,指令分为无操作数、单操作数和双操作数三类。若双操作数指令已有K种,无操作数指令已有L种,问单操作数指令最多可能有多少种?上述三类指令各自允许的最大指令条数是多少?4.设某机为定长指令字结构,指令长度12位,每个地址码占3位,试提出一种分配方案,使该指令系统包含:4条三地址指令,513.计算下列4条指令的有效地址(指令长度为16位)。(1)000000Q(2)100000Q(3)170710Q(4)012305Q第四章4.已知X和Y,试用它们的变形补码计算出X+Y,并指出结果是否溢出。(1)X=
2、0.11011,Y=0.11111(2)X=0.11011,Y=-0.10101(3)X=-0.10110,Y=-0.00001(4)X=-0.11011,Y=0.111105.已知X和Y,试用它们的变形补码计算出X-Y,并指出结果是否溢出。(1)X=0.11011,Y=-0.11111(2)X=0.10111,Y=0.11011(3)X=0.11011,Y=-0.10011(4)X=-0.10110,Y=-0.000019第五章45.动态RAM为什么要刷新?一般有几种刷新方式?各有什么优缺点?解:DRAM记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的,由于电容上的电荷会
3、随着时间的推移被逐渐泄放掉,因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷,这个过程就叫做刷新。常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响,系统的存取速度比较高;但有死区,而且存储容量越大,死区就越长。分散方式的特点是没有死区;但它加长了系统的存取周期,降低了整机的速度,且刷新过于频繁,没有充分利用所允许的最大刷新间隔。异步方式虽然也有死区,但比集中方式的死区小得多,而且减少了刷新次数,是比较实用的一种刷新方式。11.某机字长为32位,其存储容量是64KB,按字编址的寻址范围是多少?若主存以字节编址,试画出主存字地址和字节地址的
4、分配情况。解:某机字长为32位,其存储容量是64KB,按字编址的寻址范围是16KW。若主存以字节编址,每一个存储字包含4个单独编址的存储字节。假设采用大端方案,即字地址等于最高有效字节地址,且字地址总是等于4的整数倍,正好用地址码的最末两位来区分同一个字中的4个字节。主存字地址和字节地址的分配情况如图5-19所示。12.一个容量为16K×32位的存储器,其地址线和数据线的总和是多少?当选用下列不同规格的存储芯片时,各需要多少片?1K×4位,2K×8位,4K×4位,16K×1位,4K×8位,8K×8位。解:地址线14根,数据线32根,共46根。若选用不同规格的存储芯片,则需
5、要:1K×4位芯片128片,2K×8位芯片32片,4K×4位芯片32片,16K×1位芯片32片,4K×8位芯片16片,8K×8位芯片8片。13.现有1024×1的存储芯片,若用它组成容量为16K×8的存储器。试求:(1)实现该存储器所需的芯片数量?(2)若将这些芯片分装在若干块板上,每块板的容量为4K×8,该存储器所需的地址线总位数是多少?其中几位用于选板?几位用于选片?几位用作片内地址?解:(1)需1024×1的芯片128片。(2)该存储器所需的地址线总位数是14位,其中2位用于选板,2位用于选片,10位用作片内地址。14.已知某机字长8位,现采用半导体存储器作主存,其
6、地址线为16位,若使用1K×4的SRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并采用存储模板结构形式。(1)若每块模板容量为4K×8,共需多少块存储模板?(2)画出一个模板内各芯片的连接逻辑图。解:(1)根据题干可知存储器容量为216=64KB,故共需16块存储模板。(2)一个模板内各芯片的连接逻辑图如图5-20所示。15.某半导体存储器容量16K×8,可选SRAM芯片的容量为4K×4;地址总线A15~A0(低),双向数据总线D7~D0(低),由R/W线控制读/写。请设计并画出该存储器的逻辑图,并注明地址分配、片选逻辑及片选信号的极性。解:存储器的逻辑图与图5唱20很相似,区
7、别仅在于地址线的连接上,故省略。地址分配如下:16.现有如下存储芯片:2K×1的ROM、4K×1的RAM、8K×1的ROM。若用它们组成容量为16KB的存储器,前4KB为ROM,后12KB为RAM,CPU的地址总线16位。(1)各种存储芯片分别用多少片?(2)正确选用译码器及门电路,并画出相应的逻辑结构图。(3)指出有无地址重叠现象。解:(1)需要用2K×1的ROM芯片16片,4K×1的RAM芯片24片。不能使用8K×1的ROM芯片,因为它大于ROM应有的空间。(2)各存储芯片的地址分配如下:17.用容量为16K×1的DRAM
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