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时间:2018-01-10
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1、IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘三双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些
2、主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一
3、个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+区之间创建了一个J1结。IGBT是一种功率晶体,运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能,使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究l前言 绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件,集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点,在电机控制、开关电源、变流装置及许多要求快速、低损耗的领域中有着广泛的应用。本文对应用于有源电力滤波器的IG
4、BT的特性及其专有EXB84l型驱动器的设计进行讨论,并提出一种具有完善保护功能的驱动电路。 有源电力滤波器设计中应用4个IGBT作为开关,并用4个EXB84l组成驱动电路,其原理如图l所示。在实验中,根据补偿电流与指令电流的关系,用数字信号处理器(DSP)控制PWM引脚的高低电平,并由驱动电路控制IGBT的通断。驱动电路同时对过流故障进行监测,由DSP采取封锁控制信号、停机等处理。 2驱动电路的设计 2.1驱动电路电源 驱动电路需要4路相互隔离的直流电源为4路IGBT驱动电路供电,用
5、220V/22V变压器对4路交流电源分别整流,用电容器和78L24型电压调整器稳压后输出4路24V直流电压,如图2所示。 {{分页}} 2.2栅极电压IGBT通常采用栅极电压驱动,它对栅极驱动电路有着特殊的要求。栅极驱动电压脉冲的上升率和下降率要足够大,导通时,前沿很陡的栅极电压UGE可以使IGBT快速导通,并减小导通损耗,关断时,其栅极驱动电路要给IGBT提供一个下降很陡的关断电压,并在栅极和发射极之间施加一个适当的反向负偏压,以便使IGBT快速关断,并减小关断损耗。IGBT导通后,栅极的驱
6、动电压和电流要有足够的宽度,以保证IGBT在瞬时过载时未退出饱和区受到损坏。栅极驱动电压推荐值为15V摘要:对IGBT的特性及使用时的注意事项进行了探讨,提出了选择和安装过程中应该注意的方面。1IGBT模块简介 IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具
7、有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFE
8、T一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。 图1IGBT的等效电路2IGBT模块的选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。3使用中的注意事项
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