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《毕业设计（论文）开题报告-基于tcad的硅衬底杂质扩散性能的研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、南通大学本科生毕业设计（论文）开题报告学生姓名学号专业电子科学与技术课题名称基于TCAD的硅衬底杂质扩散性能的研究阅读文献情况国内文献10篇篇开题日期2009年2月23日国外文献2篇篇开题地点电子信息学院一文献综述与调研报告：（阐述课题研究的现状及发展趋势，本课题研究的意义和价值、参考文献）集成电路的仿真一般分为：系统功能仿真，逻辑仿真，电路仿真，器件仿真及工艺仿真等不同层次的仿真。其中工艺和器件的仿真，国际上也常称为“集成电路工艺和器件的计算机辅助设计”（TechnologyCADofIC)，简称“ICTCAD)。SILVACO研发的TCAD处于业界领导地位。SILVACO提供了一整套
2、完整的工具使得物理半导体工艺可以给所有阶段的IC设计方法提供强大动力。借助TCAD（工艺辅助设计）软件进行工艺仿真与设计是目前微电子行业普遍采用的方式，Silvaco软件提供了目前比较流行的一些微电子工艺仿真软件，主要用来进行半导体的工艺仿真和性能模拟，它可以模拟几乎所有半导体器件电学性能，工艺流程，还可以与其他工具组合起来，比如spice，进行系统级的电学模拟。在TCAD中的扩散模型描述了由于浓度梯度和内部电场在热处理过程中掺杂缺陷的注入剖面是怎么进行再分配的。在仿真实际的扩散方程时，需要考虑例如杂质聚类和激活引起的额外影响，以及如何处理界面。三个基本的模型用来描述掺杂物和点缺陷的扩散
3、：费米扩散，二维扩散模型，全耦合扩散模型。三种模型都依赖于对扩散的概念，一个掺杂原子不能依靠自己扩散，它需要在附近点缺陷的存在（硅片本身的间隙或者晶格空位）作为一个扩散载体。如果在两者之间有非零的束缚能，它们可以移动作为一个主体（一对）在最终分化之前通过一系列的跳跃和反转周期。所有扩散模型在TCAD中是使用化学反应和有源区浓度值的概念。化学反应的浓度是掺杂的实际注入值，但当掺杂浓度较高时，聚类或电气失活可能发生，使得有源区浓度可能会小于响应的化学反应浓度。应用实验设计技术与TCAD相结合进行半导体器件和工艺优化的新途径,这是一个极具潜力的有效方法。可以更好地发挥各种工艺、器件及电路模拟器
4、的作用,降低研究和开发集成电路新工艺、新器件的时间和成本。参考文献：[1]王志功，景为平，孙玲.集成电路设计技术与工具[M].南京：东南大学出版社，2007.7.[2]施敏.半导体器件物理与工艺[M].苏州：苏州大学出版社，2002.[3]XiaoDeyuan(肖德元),WangXi(王曦),YuanHaijiang(袁海江),YuYuehui(俞跃辉),XieZhifeng(谢志峰),andChiMinhwa(季明华).AnovelGAACFinFETtransistor:deviceanalysis,3DTCADsimulation,andfabrication[J].Journal
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