最新切磨抛工艺.doc

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1、切磨抛工艺精品好资料-如有侵权请联系网站删除在上期的沈阳科晶设备制造有限公司的followme园地中，介绍了《设备选择》。使用沈阳科晶公司的精密设备，用不到6万元就可以建立你自己的加工实验室。有了自己的实验室，就要有相应的技术。来保证你的实验室的良好运行。为此目的，我们向科晶公司用户，介绍一下晶体基片加工的完全过程，来感谢产品用户的大力支持。《切磨抛工艺》来到了followme园地，进入您的视野。 　　　　　　　　　　　　切磨抛工艺 　　将各种晶体加工制成半导体器件生产线上所需要的抛光片（衬底片）需要经过切片，磨片和

2、抛光等工序。这一平面加工工艺的简称就是所谓的切磨抛工艺。 切片： 　　加工大直径的晶体时，通常用内园切割机来进行加工。用这种设备切出的晶体基片是平的。因为刀片由外围张力环支持，震动小。相邻的晶片损伤小。小直径的晶体材料，可用科晶公司生产的SYJ-150型或EC400型切割设备进行加工，实用快捷。 　　而对于脆性的，切割时易损的晶体材料，使用科晶公司生产的SYJ-2型精密线切割机是非常合适的。该设备使用镶嵌金刚石的线锯丝或普通的线锯丝，同时使用研磨浆来实现各种材料的无损伤切割。该机的工作台水平可旋转90˚卡具，并具有切

3、割线张力调整装置，来实现精密的切割。 　　SZX-1全自控高精度晶体线切割机，是沈阳科晶设备制造有限公司推出的国内独家研发制造的全自控高精度线切割机，是由计算机控制的理想切割机，可以切割最大棒料直经4英寸的各种晶体、陶瓷、及金属材料，切割厚度可小于0.2毫米。 　　精品好资料-如有侵权请联系网站删除精品好资料-如有侵权请联系网站删除晶体材料在切片前，需要进行定向。例如单晶硅材料，一方面为了确定管芯划片时最佳方向（对【111】单晶参考定位面为〈100〉面）。另一方向，为使抛光片〈衬底〉在外延时，有利于减少外延层表面角锥

4、缺陷，降低层错密度及减少隐埋图形的畸变和位移。一般要求切割片（衬底片）【111】朝向最近的【110】偏离4～5度。 　　切割晶体时，按照切割设备的操作规程，逐条进行。一般都会加工出合格的晶体基片。要注意的是，由于切片设备的刀片的平整度及设备本身的精度造成的震动，会对切割的晶体基片表面造成机械损伤层，这一损伤层，一般来讲最少在30～70μm之间。所以在加工晶体基片时，切片的厚度，要把机械损伤层考虑到，例如：如果要求在半导体器件生产线上需要厚度为300μm的晶体基片，那么切割晶体基片时要求晶体基片的厚度最好应在450～5

5、00μm左右。 ●切片时的机械损伤（刀片震动造成）　　30μm～70μm(一面) ●磨片时机械损伤（磨料造成）　　　　　　5μm～15μm(一面) ●抛光时去除机械损伤　　　　　　　　　　精品好资料-如有侵权请联系网站删除精品好资料-如有侵权请联系网站删除1μm以下 以上只是为用户提供一个考虑的思路。切割晶体基片的厚度尺寸原则是，保证最终抛光片尺寸厚度要求时，晶体切割时，片厚越薄越好，不但节省了晶体，降低了成本，也提高了磨片和抛光工序的效率。 磨片 　　磨片工序就是用各种磨料，对切割好的晶体进行加工处理，目的是去除因

6、切割时刀片震动及机器本身精度造成的晶体基片表面的机械损伤层，提高晶体基片的平整度，使晶体基片达到适合抛光的标准。 　　研磨各种晶体基片时，一般要选用双面磨片机，特别是晶体基片提供商，只能选择这种所谓四轨迹的双面研磨机。用这种设备研磨出的晶体基片的平整度是可得到保证的。在实验室中研磨晶体基片时，可选用各种小型的单面磨片机，灵活、实用。例如：在研磨2英寸以下的晶体基片时，可以选用802精密研磨抛光机，在研磨3英寸以上的晶体基片时选用1502型精密研磨抛光机。 　　根据研磨晶体材料的不同，以及对晶体基片的不同要求，可以选用

7、不同颗粒度的各种研磨材料。对于莫氏6以下的各种晶体材料可选用白刚玉微粉磨料，而莫氏硬度6以上的各种晶体材料，可以选用碳化硅或碳化硼等磨料。 　　磨料的颗粒大小和颗粒度的均匀性，与被研磨的晶体基片表面质量有很大关系。在一定的工艺条件下，损伤层深度正比于所使用的磨料颗粒度大小。粗的磨料引起较深的损伤层，反之损伤层小。所以，磨片工序分为粗磨和精磨两道工序。粗磨工序用于快速减薄晶体基片，精磨工序用改善片面质量，这是因为磨料的颗粒大小，对研磨效率有较大的影响，磨料颗粒度的大小与研磨速度成正比，与研磨质量成反比。研磨速度与机械的

8、转数成正比。压力越大，研磨效率就越高。但是，压力过大，容易产生碎片现象和损伤增大。研磨速度是随磨料的浓度增加而加快的，要得到好的研磨质量，又能提高生产效率，就必须用适当的磨料，合理的压力和合适的机器转数。 研磨液的一般配比：磨料：水=10～20：100 　　选择质量好的磨料是非常重要的，对同一种型号的磨料，其颗粒大小也会不均匀，尤其是大颗粒（数