直拉法单晶硅生长技术的现状

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1、直拉法单晶硅生长技术的现状摘要综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟,硅熔体与物性研究等进行了论述。关键词:直拉硅单晶;扩散控制;等效微重力;空洞型缺陷;光电子转换效率;硅熔体结构一、光伏产业的发展趋势,及对硅材料的前景要求,直拉法单晶硅生长技术是现在主流生长技术之一光伏产业,是一种利用太阳能电池直接把光能转换为电能的环保型新能源产业。由于从太阳光能转换成电能的光电

2、转换装置,是利用半导体器件的“光生伏打效应”原理进行光电转换的,因此把与太阳能发电系统构成链条关系的产业称为光伏产业。光伏产业的链条,包括:硅矿-硅矿石(石英砂)-工业硅(也称金属硅)-多晶硅、单晶硅-晶圆或多晶硅切片-太阳能电池-组件-发电系统。工业硅的纯度,一般为98-99.99%;太阳能级硅的纯度,一般要求在6N级即99.9999%以上。与其他常规能源相比,光伏发电具有明显的优越性:一是高度的清洁性,发电过程中无损耗、无废物、无废气、无噪音、无毒害、无污染,不会导致“温室效应”和全球性气候变化;二是绝对的安全性,利用太阳能发电,对人

3、、动物、植物无任何伤害或损害;三是普遍的实用性,不需开采和运输,使用方便,凡是有太阳照射的地方就能实现光伏发电,可广泛用于通信。交通、海事、军事等各个领域,上至航天器,下至家用电器,大到兆瓦级电站,小到玩具,都能运行光伏发电;四是资源的充足性,太阳能是一种取之不尽用之不竭的自然能源。据计算,仅一秒钟发出的能量就相当于1.3亿亿吨标准煤燃烧时所放出的热量。而到达地球表面的太阳能,大约相当于目前全世界所有发电能力总和的20万倍。地球每天接收的太阳能,相当于全球一年所消耗的总能量的200倍。人类只要利用太阳每天光照的5%,就可以解决和满足全球所

4、需能源。正因为如此,加上由于传统的化石能源是不可再生资源,越来越接近枯竭,世界各国越来越达成必须加快发展新的替代能源的共识,从而加大了政策扶持的力度,世界光伏产业呈现出蓬勃发展的势头,光伏产业正在向大批量生产和规模化应用发展,其运用几乎遍及所有用电领域。从整体来看,世界各国对太阳能光伏发电的政策扶持力度在逐年加大。各国的补贴政策主要分为两类:一类是对安装光伏系统直接进行补贴,如日本;另一类是对光伏发电的上网电价进行设定,如德国、西班牙等国。而美国加利福尼亚州,则是将两种政策混合执行。光伏科技的进步,使光电转换效率不断提高、光能发电成本不断

5、降低。技术进步是降低光伏发电成本,提高光能利用效率、促进光伏产业和市场发展的重要因素。几十年来围绕着降低成本的各种研究开发项工作取得了显著成就,表现在电池效率不断提高。硅片厚度持续降低、产业化技术不断改进等方面,对降低光伏发电成本起到了决定性的作用。多晶硅是太阳能电池必不可少的基础材料,其占到太阳能电池成本的80%,每生产1兆瓦太阳能电池需要12-14吨多晶硅。多晶硅主要采用化学提纯、物理提纯两种方法进行生产,其中化学提纯方法主要有西门子法(气象沉淀反应法)、硅烷热分解法、流态化床法,物理提纯方法主要有区域熔化提纯法(FZ)、定向凝固多晶

6、硅锭法(筹造法)等等。二、直拉法单晶生长技术的机械设备上海汉虹的FT-CZ2008A、FT-CZ2208AE、FT-CZ2208A,西安理工大学的TDR80A-ZJS、TDR80B-ZJS、TDR80C-ZJS、TDR85A-ZJS、TDR95A-ZJS、TDR112A-ZJS,美国KAYEXCG3000、CG6000、KAYEX100PV、KAYEX120PV、KEYEX150,Vision300型,投料量分别为30kg、60kg、100kg、120kg、150kg、300kg,以及其他厂家的部分单晶生长炉。其中西安理工大学的单晶拉制炉

7、作为国内自主创新的产品,有很大的优越性。TDL-FZ35型区熔单晶炉TDL-FZ35型区熔单晶炉,是在高纯氮气环境中,用单匝高频感圈加热,对多晶体棒进行区域熔炼,达到提供并用FZ法拉制高纯无位错大直径(3″~4″)单晶硅的设备。获省级科技进步三等奖。该设备的主要性能指标如下:晶体直径:3″~4″(Φ75~Φ100mm)晶体长度:1000mm高频发生器功率:60KW晶轴拉速范围:0.5~20mm/minTDL(R)-J40型光学晶体炉内容简介:该炉是用直拉法控制激光固体材料(如钇铝石榴石,铝酸钇等)单晶体的专用设备。它可以在大气或充入各种纯

8、净保护气体下工作。曾获机械工业部和陕西省科技进步二等奖。该设备的主要性能指标如下:炉室尺寸:Φ400mm采用中频加热电源:20KW2500HZ采用电阻加热电源:42KVA最高加热温度:2100

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