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时间:2021-04-30
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1、模电课后习题解答__________________________________________________第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。2、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。3、在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。二.判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负
2、电。(×)2、在N型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P型半导体。(√)3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(×)____________________________________________________________________________________________________4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。(×)5、PN结在无光照无外加电压时,结电流为零。(√)6、温度升高时,PN结的反向饱和电
3、流将减小。(×)7、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(×)三.简答题1、PN结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN结的伏安特性可用式表示。式中,ID为流过PN结的电流;Is为PN结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I的单位一致;V为外加电压;VT=kT/q,为温度的电压当量(其单位与V的单位一致),其中玻尔兹曼常数,电子电量,则,在常温(T=300K)下,VT=25.875mV=26mV。当外加正向电压,即V为正值,且V比VT大几倍时,,于是,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN结为
4、正向导通状态.外加反向电压,即V为负值,且
5、V
6、比VT大几倍时,,于是,这时PN结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN结呈反向截止状态。PN结的伏安特性也可用特性曲线表示,如图1.1.1____________________________________________________________________________________________________所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1特性曲线(实线部分)可见:PN结真有单向导电性和非线性的伏安特性。图1.1.1PN
7、伏安特性 2、什么是PN结的反向击穿?PN结的反向击穿有哪几种类型?各有何特点?答:“PN”结的反向击穿特性:当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后,PN结发生击穿。PN结的击穿主要有两类,齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN结,一般反向击穿电压小于4Eg/q(Eg—PN结量子阱禁带能量,用电子伏特衡量,Eg/q指PN结量子阱外加电压值,单位为伏特)的PN的击穿模式就是齐纳击穿,击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电,使的少子浓度增加,反向电流上升。雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓
8、度较低“PN”结,一般反向击穿电压高于6____________________________________________________________________________________________________Eg/q的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快,动能增大,撞击中型原子时把外层电子撞击出来,继而产生连锁反应,导致少数载流子浓度升高,反向电流剧增。3、PN结电容是怎样形成的?和普通电容相比有什么区别?PN结电容由势垒电容Cb和扩散电容Cd组成。势垒电容Cb是由空间电荷区
9、引起的。空间电荷区内有不能移动的正负离子,各具有一定的电量。当外加反向电压变大时,空间电荷区变宽,存储的电荷量增加;当外加反向电压变小时,空间电荷区变窄,存储的电荷量减小,这样就形成了电容效应。“垫垒电容”大小随外加电压改变而变化,是一种非线性电容,而普通电容为线性电容。在实际应用中,常用微变电容作为参数,变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比较显著的二极管。图1.3.3P区中电子浓度的分布曲线及电荷的积累扩散电容Cd是载流子在扩散过程中的积累而引起的。PN结加正向电压时,N区的电子向P区扩散,在P区形成一定的电子浓度(Np_________
10、__________________________________________________________________________________
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