最新三极管共射放大特性教学讲义PPT.ppt

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1、三极管共射放大特性1、输入特性曲线输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系，即三极管的输入特性曲线如下图所示。由图可见NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是：UBE虽己大于零，但iB几乎仍为零，只有当uBE的值大于开启电压后，iB的值与二极管一样随uBE的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V，发射结导通电压Von约为0.6～0.7V；锗晶体管的开启电压约为0.1V，发射结导通电压约为0.2～0.3V。的情况。CE=0V，UCE=0.5V和UCE=1V（1）截止区IB=0特性曲线以下的区

2、域称为截止区。此时晶体管的集电结处于反偏，发射结电压uBE＜0，也是处于反偏的状态。由于iB＝0，在反向饱和电流可忽略的前提下，iC=βiB也等于0，晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管，发射结和集电结都是反偏，在电路中犹如一个断开的开关。实际的情况是：处在截止状态下的三极管集电极有很小的电流ICE0，该电流称为三极管的穿透电流，它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流，不受iB的控制,但受温度的影响。截止区：e结,c结均为反偏，BJT无放大作用。这时IB≈0;IC≈0;UCE=UCC－ICRC≈UCC,三极管c-e间承受的电压较高，而管子中流过的电流

3、却很少，也即c-e间的阻抗很大，如同开关的断开。（2）饱和区在如图的三极管放大电路中，集电极接有电阻RC，如果电源电压VCC一定，当集电极电流iC增大时，uCE=VCC-iCRC将下降，对于硅管，当uCE降低到小于0.7V时，集电结也进入正向偏置的状态，集电极吸引电子的能力将下降，此时iB再增大，iC几乎就不再增大了，三极管失去了电流放大作用，处于这种状态下工作的三极管称为饱和。规定UCE＝UBE时的状态为临界饱和态，如上图中的虚线为临界饱和线，在临界饱和态下工作的三极管集电极电流和基极电流的关系为：        式中的ICS，IBS，UCES分别为三极管处

4、在临界饱和态下的集电极电流、基极电流和管子两端的电压（饱和管压降）。当管子两端的电压UCE＜UCES时，三极管将进入深度饱和的状态，在深度饱和的状态下，iC=βiB的关系不成立，三极管的发射结和集电结都处于正向偏置会导电的状态下，在电路中犹如一个闭合的开关。三极管截止和饱和的状态与开关断、通的特性很相似，数字电路中的各种开关电路就是利用三极管的这种特性来制作的。饱和区：e结、c结均为正偏，UCE=UCES很小。UCE的减小使C结收集电子的能力减弱，也即e区发射有余，而c极收集不足，以致IC几乎不再随IB的增大而增大，BJT失去放大作用。因为UCES最小只能接于零，所

5、以由UCE=UCC－ICRC.可求出集电极饱和电流为ICS=Icmax=(ucc－UCES)/RC≈UCC/RC，基极临界饱和电流为IBS=ICS/β≈UCC/βRC当基极注入电流IB超过其临界值时，晶体管呈饱和状态。故判断管子饱和状态的方法为：若IB≥IBS=UCC/βRC时，则晶体管饱和。（3）放大区三极管输出特性曲线饱和区和截止区之间的部分就是放大区。工作在放大区的三极管才具有电流的放大作用。此时三极管的发射结处在正偏，集电结处在反偏。由放大区的特性曲线可见，特性曲线非常平坦，当iB等量变化时，iC几乎也按一定比例等距离平行变化。由于iC只受iB控制，几乎与u

6、CE的大小无关，说明处在放大状态下的三极管相当于一个输出电流受IB控制的受控电流源。上述讨论的是NPN型三极管的特性曲线，PNP型三极管特性曲线是一组与NPN型三极管特性曲线关于原点对称的图像。放大区：e结正偏、c结反偏（对于NPN型管，VC>VB、VB>VE.对于PNP型管，VC0;IC=IBβUCE=UCC-ICRC小结：放大区：三极管正常工作，ic=ibβ饱和区：uce很小的时候，就进入饱和区了，在饱和区ic不等于βib,不是线性增加的。而且由于uce分压很小，所以视为三极管导通。截止区：ib很小的时候就进

7、入截止区了，因为ib很小的时候等价于vb很小，vb如果不足以达到0.7v,PN结就不会导通，所以三极管就相当于一个很大的电阻。课堂讨论：饱和是指什么饱和？它是如何变到饱和的？它是放大的极限吗？iB增大的时候，UCE会减小（VCC-ic*Rc），UCE