最新第2章双极型晶体三极管08-10-1ppt课件.ppt

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1、第2章双极型晶体三极管08-10-1N+P-NBCE6个电子7个电子1个电子图中的红色圆点代表电子、白色圆点代表空穴。电流方向和电子运行方向相反。VBB外偏置直流电压及其载流子运行示意图VCBIENIEPIBNICN复合电流E扩散B扩散发射结集电结收集扩散电流ICBO集电极反向饱和电流发射区多子向基区扩散基区非平衡少子向集电结方向扩散集电区收集基区非平衡少子二、载流子的物理运动b区多子向e区扩散8/17/20212三、BJT符号、可选典型材料NPNPNPNPN和PNP晶体管可选用材料：Si、Ge8/17/20213七、BJT管

2、e结和c结放大区的直流偏压条件1.NPN管2.PNP管＋－＋－（P56-P57）8/17/20217八、CE放大系数与集电极电流的特性曲线8/17/20218八、CE（NPN管）电路及其静态特性曲线1.CE电路图2.CE输入伏安特性图8/17/202193.CE输入伏安特性和输出伏安特性曲线图（NPN）8/17/202110vCE≤vBE饱和区vBE≤0,截止区过耗区放大区击穿区过耗区：过流区IC>ICmax放大区：vBE≥VBE（ON）、VCE＞VCES;iC=βiB8/17/202111PNP管伏安特性测量实验电路图8/1

3、7/202112输入伏安特性曲线PNP管伏安特性曲线输出伏安特性曲线ib参变量8/17/202113九、BJT电路工作状态判定方法电路的三种工作状态，流程图发射结正偏集电结反偏假定VBE=VBE(ON)VCE>VBE(ON)满足VBEVBE(ON)满足临界饱和VCE=VBE(ON)通常采取两种状态假定法：放大临界饱和、8/17/2021158/17/2021168/17/202

4、117十、CE（NPN管）VCR【压控电流器件特征】十一、指数函数线性化8/17/202118展开成幂级数将幂级数线性化简的条件8/17/202119故发射结电压vbe<5mV输入条件下,幂级数线性化式：8/17/202120所以，发射结施加交流小信电压vbe≤5mV时，受它控制的交流电流ic与其成正比，是线性关系。8/17/202121十二、基区宽度调制效应8/17/2021228/17/202123十三、BJT的温度特性P518/17/202124十四、BJT的穿透电流ICEO形成机理8/17/202125十五、BJT的交

5、流小信号模型及其交流参数（P52～P53）8/17/2021268/17/202127(低频管几百欧姆)<几十欧姆(高频管)几个欧姆(微波管)因为基区层半导体材料极薄，面积小掺杂区体电阻浓度低，会对基极电流产生一定阻力，称为基区体电阻。rbb’的大小，影响BJT管的最高工作频率。8/17/202128基区复合电阻(动态电阻)8/17/2021298/17/2021308/17/2021318/17/2021328/17/2021338/17/2021348/17/202135由混合模型看参数特点：常规参考数据：8/17/202

6、1368/17/2021371.划分根据—串、并联相对阻抗大小的比较---忽略小2.实际外围电路为参照系3.BJT启用小信号等效模型4.在放大状态交流通路图条件下进行8/17/202138十九、BJT的三种状态等效模型1.放大静态模型8/17/2021392.截止静态模型8/17/2021403.饱和静态模型8/17/202141BJT小结1.物理结构三大特征：高掺杂、窄基区、宽收集。2.导电机理两项性质不同的载流子运动：扩散、漂移3.放大状态下的伏安关系4.输入伏安特性、输出伏安特性及其主要参数基区宽度调制效应温度特性8/1

7、7/2021426.压控非线性器件的线性化条件线性化公式成立条件8.线性器件---小信号---两个电路简化模型5.BJT电路及其晶体管的截止、饱和、放大外围条件7.BJT交流参数8/17/2021438.模拟放大电路分析方法---假设法放大状态临界饱和状态或8/17/202144第二章双极型晶体三极管（BJT）一、理解BJT工作原理NPN与PNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系（掌握直流传输方程，ICBO，ICEO的概念）；放大偏置时的的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应）；B

8、JT的截止与状态及特点。饱和8/17/202145二、BJT静态伏安特性曲线理解共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。三、BJT参数理解的含义。四、混合模型理解完整模型和了解模型参数的物理含义。熟练掌握两种简化模型（参数和参数模型）及其模型参数的计算方法。8/1