最新乘法分配律课件课件PPT.ppt

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1、乘法分配律课件1、我会填：（１０＋７）×６＝＿＿×６＋＿＿×６８×（１２５＋９）＝８×＿＿＋８×＿７×４８＋７×５２＝＿＿×（＿＿＋＿＿）第一关：我认识了吗？1071259748522、我会写：写出这种规律的另一种形式。（100+2）×15=4×（30+25）=87×13+13×65=100×15+2×1530×4+25×4（87+65）×13学校大扫除,三(3)班同学分成12个小组,每组中有3个男生、2个女生。三(3)班的男生比女生多多少人？独立思考：有几种计算方法？每一步各表示什么？你发现什么？小组合作学习：1、独立思考：（1）有几种计算方法？（2）选择你自己喜欢的两种种方案计算。2、小组

2、内交流。汇报：（1）有哪几种方法？（2）介绍自己组的方案。说说是怎样算的？（3）说说你们推荐的理由。活动要求：写出两个这样的算式。你怎么来说明你写的算式左右两边是相等的？1、填一填，请运用乘法分配律完成下面各题。①（20-7）×6=□×6-7×□②8×（125-4）=□×125-□×4③43×12-23×12=（□-□）×□强调：乘法分配律，可以正着用，也可以反着用。206884323122、用乘法运算定律计算下面各题。36×（100+2）（40-4）×25算一算38×29+3839×101我能行：39×101=39×(100+1)=39×100+39×1=3900+39=3939实战训练我会

3、运用乘法分配律来进行简算99×17+17101×2398×23挑战题你能很快计算吗？125×88全课小结：这节课我们学习了什么?你有哪些收获？再见3.1能级与能带有何不同？固体的能带怎么形成的？单个原子的能级是分立的，N个相距无限远的原子能级也是分立的，当固体中N个原子紧密排列时，由于原子间的相互作用，原来同一大小的能级这时彼此数值上就有小的差异。同一能级就分裂成为一系列和原来能级很接近的仍包含N个能量的新能级。这些新能级基本上连成一片形成能带。3.2从能带结构来看导体、绝缘体、半导体有什么差异？导体一般都有未被价电子填满的导带。还有满带与空带重叠或导带与空带重叠的情形。绝缘体和半导体在满带和

4、空带之间都有一个无能级存在的禁带。绝缘体的禁带宽度一般很宽，Eg约为3~6eV，半导体的禁带宽度较窄，Eg约为0.1~2eV。3.3掺杂与加热均能使半导体的电导率增加，但二者有何不同?以n型半导体为例,掺杂形成的杂质能级靠近导带底部。比禁带宽度小得多。在常温下这种杂质能级上的电子很容易被激发到导带中去，使导带中自由电子浓度增大，大大提高了半导体的导电性。加热使满带中相当数量的电子被激发到空带中去，这些空带中的电子和相应满带中的空穴可参加导电，使半导体的电导率增加。加热需使电子跃过禁带。Eg约为01～2eV掺杂杂质能级与导带底部之间的能量差约为10-2eV显然掺杂对半导体导电率的影响较大。

5、3.4本征半导体与杂质半导体导电机构有何不同？本征半导体中导带中的电子与满带中的空穴数相等。本征半导体的导电机构是电子与空穴并存，所以它有电子导电性同时具有空穴导电性。掺施主杂质的半导体主要靠电子导电，称为电子型半导体或n型半导体,n型半导体中导带中的电子数远大干满带中的空穴数。掺受主杂质的半导你读者可自行讨论。3.5本征半导体掺何种杂质即可成为n型半导体，它的多数载流子是什么？又怎样成为p型半导体它的多数载流子是什么?掺入五价的锑（Sb）或磷（P）原子作为杂质，即可成为n型半导体。多数载流子是电子。掺入三价的硼（B）或铟（In），可形成P型半导体，这时多数载流于是空穴。3.6p-n结为何有单

6、向导电性？p－n结具有单向导电性。该结论读者应该知道。但要把结论讲解清楚，需要相当的篇幅。请读者参阅物理（工）教材P512~P514,从中找到答案。3.7太阳能电池的基本机理是什么？太阳能电池以n型硅半导体作基体，再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的p型半导体就构成一个硅太阳能电池,它实际上是一个大面积的p-n结，如囹14-1所示。p型硅的外层表面做得很大，为的是达到最大限度接受太阳的辐照面积。当入射光子的能量大于禁带宽度时在p型硅中产生电子空穴时，由于扩散作用,p区光生电子进入n区边缘积累。p型硅的厚度做得很薄，是为了使得光子所激发的电子在与空穴碰撞而复合前就能够穿过p-n结。随着电子从p型区

7、流经p-n结而到达n型区，使p区相对n型区有一电势差，电势由p型向n型方向减小。这样p型区的电极成为电池的正极；n型区的电极成为负极，p-n结就把光能转换成了电能，是一个太阳能电池。3.8晶体三极管怎么有电流（电压）放大作用？同3.6题，请读者参阅物理（工）教材P515-P516