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时间:2021-04-14
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1、LED结构及原理讲述也是翻过来top-down,InP为基板,1.35eV,也会吸可见光,但图中为红外LED。如何看出红外:InGaAsP:1.33-1.5eV,发光层是narrowbandgap材料,上下2个InP都是largebandgap材料,标准的双异质结,无需再衬底挖洞,让光出来。没有翻过来,没有用到异质结构,简单的pn型,GaP:N是发光层,GaP:简介带隙,效率不高,2.26eV,接近绿光。制造过程结构特点(电极)好处是什么不用牺牲一部分发光区域,SiC基板导电。有什么问题早期红黄光LEDG
2、aP/AlGaInP/GaAsabsorbingsubstrate:GaAs5-10um的薄膜20-50um光到下面后,会被金属反弹回来VPE(Vaporousphaseepitaxy)气相外延生长NoneabsorbingredyellowLED结构,假设是GaP基板不加窗口层,直接把p-typecontactelectrode接在上面产生问题:接触电极很薄,电流来不及散开,直接向下流电流不散开,集中在金属电极的下面,电流密度会非常高,致使光电转换效率下降(经验:物理曲线数值增大到一定程度,就会趋缓,达
3、到饱和)。原因:可能是热效应,也可能是其它饱和效应,,使光电转换效率开始衰竭。因此,不希望在某个特定区域,电流密度太高。如果电流无法散开,过于集中在金属电极区域,会使绝大部分的发光也集中在金属电极区域下方,当光打到金属接触区域时,会被挡住,使光线无法散开。如何使光能够散开?withwindowlayer加一层很厚的窗口层,其厚度是发光层厚度的十倍、甚至百倍。因为这一层很厚,电流有足够的机会散开。散开之后的作用:1、使各点的电流密度降低,光电转换效率就可以提高;2、使发光区域变大,被上面金属挡住的区域所占比
4、例就会减小,LED发光效率就会有较大提升。HighBrightnessBlueLEDs蓝宝石基板、低温生长缓冲层(累晶质量不太好)、高品质n-GaN、大bandgap材料、中间夹MQW结构(InGaN是narrowbandgap区域,GaN是largebandgap区域,长5-10个周期)、再长largebandgapp型层。n-electrode要吃掉一部分累晶层区域,直到n型区域,将n型金属接触做在上面。此结构遇到一个问题:电流散不开,怎么办?电流都集中在p-contact下面,发出的光都在p-con
5、tact下面,是否可以加窗口层?无法加很厚的窗口层。原因:蓝宝石基板和GaN晶格不匹配,在1000度长完晶后,降温过程中,外延层开始弯曲,因此,上面的累晶层不能长太厚,事实上,其总厚度大约在5um以下,蓝宝石的厚度在大约300-400um之间;如果累晶层厚度超过10或20um,冷却后,弯到一定程度,累晶层就会裂开,因此,无法长很厚的GaN窗口层,要解决此问题,必须想其他办法。p-contact下面长一层特殊材料:会导电,又能透过可见光。2种可能选择:A、仍然用金属,只是把金属变得很薄,但金属变薄后,出现新
6、问题,其导电能力会迅速下降,电流散开的能力会随之降低。B、ITO(透明导电材料)HighBrightnessLEDsonCIEChromaticityDiagram(RGBLED都包括)高亮度LED在色坐标图中的标准位置R,G,B三色LED的光谱分布图:红光LED的半高宽,即波长分布最窄;绿光LED半高宽较宽;蓝光LED的半高宽介于二者之间。因为不是很理想的单一波长的光,因此不会刚好落在色坐标图边缘上。红光的半高宽小,离边缘近;绿光偏向中间,525、505、498nm,;另外,设计色坐标时,绿光被刻意拉大
7、也是一个原因;蓝光也比较靠近边缘。626,615,605,590……..为λp:最高强度所对应的波长。LED芯片介绍1、LED芯片分类介绍2、不同结构LED芯片的性能简介3、垂直结构LED芯片的制成Led芯片的结构LED芯片有两种基本结构,水平结构(Lateral)和垂直结构(Vertical)。横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流
8、几乎全部垂直流过LED外延层,极少横向流动的电流,可以改善平面结构的电流分布问题,提高发光效率,也可以解决P极的遮光问题,提升LED的发光面积。制造垂直结构LED芯片技术主要有三种方法:一、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对LED表面进行处理以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化镓LED磊
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