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1、个人收集整理勿做商业用途IGBT管的万用表检测方法IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极,黑笔接e极，若所测值在3．5kΩl左右,则所测管为含阻尼二极管的
2、IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下，IGBT管的C、C极间正向压降约为0．5V。 综上所述,内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。 如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏.实际维修中IGBT管多为击穿损坏。达林顿管的检测方法和参数达林顿晶体管DT(Dar1ingtonTransistor)亦称复合晶体管。它采用复合过接
3、方式,将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成,最后引出E、B、C三个电极。 图1是由两只NPN或PNP型晶体管构成达林顿管的基本电路。假定达林顿管由N只晶体管(TI—Tn)组成，每只晶体管的放大系数分别这hFE1、hFE2、hFEn.则总放大系数约等于各管放大系数的乘积： hFE≈hFE1·hFE2……hFEn 个人收集整理勿做商业用途因此,达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到几千倍,甚至几十万倍。利用它不仅能构成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出，
4、构成达林顿功率开关管。在光电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。达林顿管产品大致分成两类,一类是普通型，内部无保护电路，另一类则带有保护电路。下面分别介绍使用万用表检测这两类达林顿管的方法。1．普通达林顿管的检测方法 普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成，其基极B与发射极E之间包含多个发射结.检测时可使用万用表的R×1k或R×10k档来测量。 测量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。正常时，集电极C与基极B之间的正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接基极B;测PNP管时,黑表笔接集电极C）值与普通硅
5、晶体管集电结的正向电阻值相近,为3~10kΩ之间，反向电阻值为无穷大.而发射极E与基极B之间的的正向电阻值（测NPN管时,黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接发射极E）是集电极C与基极B之间的正、反向电阻值的2～3倍，反向电阻值为无穷大。集电极C与发射极E之间的正、反向电阻值均应接近无穷大。若测得达林顿管的C、E极间的正、反向电阻值或BE极、BC极之间的正、反向电阻值均接近0，则说明该管已击穿损坏.若测得达林顿管的BE极或BC极之间的、反向电阻值为无穷大，则说明该管已开路损坏.2。大功率达林顿管的检测 大功率达林顿管在普通达
6、林顿管的基础上增加了由续流二极管和泄放电阻组成的保护电路，在测量时应注意这些元器件对测量数据的影响。 用万用表R×1k或R×10k档，测量达林顿管集电结（集电极C与基极B之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值(NPN管的基极接黑表笔时）应较小，为1~10kΩ,反向电阻值应接近无穷大。若测得集电结的正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明该管已击穿短路或开路损坏。 用万用表R×100档，测量达林顿管发射极E与基极B之间的正、反向电阻值，正常值均为几百欧姆至几千欧姆（具体数据根据B、E极之间两只电阻器的阻值不同而有所差异。
7、例如,BU932R、MJ10025等型号大功率达林顿管B、E极之间的正、反向电阻值均为600Ω左右)，若测得阻值为0或无穷大，则说明被测管已损坏。 用万用表R×1k或R×10k档,测量达林顿管发射极E与集电极C之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接发射极E，红表笔接集电极C;测PNP管时，黑表笔接集电极C，红表笔接发射极E）应为5~15kΩ(BU932R为7kΩ），反向电阻值应为无穷大,否则是该管的C、E极（或二极管）击穿或开路损坏。注意事项： 某些改进型达林顿管还在R1、R2各并联一只二极管D2、
8、D3，当B-E之间加反向电压时，测出的就不是（R1+R2）电阻之和，而是两只二极管的正向压降之和（VF2+VF3）。个人收集整理勿做商业用途一些达林顿管参数：型号 Pcm[W］ Icm[A] Vceo［V］
