最新2.1大气水平运动教学讲义PPT.ppt

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1、2.1大气水平运动大气运动——大气的水平运动—风1、直接原因:同一水平面上的气压差异2、水平气压梯度力⑴概念:同一水平面因存在气压差异,产生一种由高气压向低气压的力。⑵特点:HL⑶大小:取决于气压梯度;与气压梯度成正比。即:等压线越密--→气压梯度越大--→气压梯度力越大--→风力越大大气运动——大气的水平运动—风(百帕)100010051010水平气压 梯度力地转偏向力(北半球)垂直于风向,只改变风向, 不改变风速的大小促使水平运动物体方向发生偏离的力。风向北半球向右偏,南半球向左偏3、地转偏向力:大气运动——等压线及判读1、概念:地图上,同一水平面上气

2、压相等的点的连线。2、基本气压场低压高压低压槽高压脊鞍部⑴低压:闭合等压线,气压值中心低,外围高;⑵高压:闭合等压线,气压值中心高,外围低;⑶低压槽:由低压延伸出来的狭长区域,简称槽。低压槽中等压线曲率最大点连线叫槽线。⑷高压脊:由高压延伸出来的狭长区域,简称脊。高压脊中等压线曲率最大点连线称脊线。⑸鞍部:高压中心之间的气压相对较低区域。高低鞍高高低低鞍大气运动——等压线及判读⑴风力同一等压线图:等压线密集——风力大;等压线稀疏——风力小。⑵画风向第一步:画水平气压梯度力——垂直于等压线(切线),并由高压指向低压;第二步:确定南、北半球,再用左、右手规则,

3、近地面偏转30°-45°的角,即为风向。(高空则偏转成与等压线平行)1000hPa1002hPa1004hPa北半球(近地)800hPa802hPa804hPa南半球(高空)大气运动——大气的水平运动—风(反馈)980985990995·AVF1F2F3读等压线图,回答A点近地表风向V的形成过程:⑴F1是力,它垂直于并由高压指向低压。⑵F2是力。⑶F3是力。⑷本图位于北半球还是南半球?。判断依据是。水平气压梯度等压线地转偏向力摩擦力南半球风向向左偏大气运动——大气的水平运动—风(反馈)例:图2示意某区域某月一条海平面等压线,图中N地气压高于P地.读图判断N

4、地风向为(  )A.东北风B.东南风C.西北风D.西南风40°N90°130°NMQPA第7章外围器件及阻容元件设计主要内容7.1特殊尺寸器件的版图设计7.2电阻、电容及二极管的版图设计7.3CMOS集成电路的静电放电保护电路7.4压焊块的版图设计7.5电源和地线的设计7.1特殊尺寸器件的版图设计特殊尺寸器件是指:①大尺寸——MOS管宽长比(W/L)很大;②小尺寸——W/L<1(倒比管)。7.1.1大尺寸器件1.CMOS电路的缓冲输出缓冲输出是指在内部电路输出端串联二级反相器,改善输出驱动能力。各级器件尺寸(W/L):I0为小尺寸,I1为中等尺寸,I2为大

5、尺寸。I2的尺寸根据输出电流的大小和输出波形参数的要求进行设计。CMOS集成电路的缓冲输出2.大尺寸器件反相器I2的版图布局:通过改变MOS管的图形形状进行设计。(1)分段──大尺寸MOS管分段成若干小尺寸MOS管。(a)MOS管的W/L=200/1(b)截成4段(W/L=50/1)(2)源漏共享──合并源/漏区,4个小MOS管并联成大尺寸MOS管(a)形成S-G-D、S-G-D…排列(b)左起第二个和第四个的源和漏互(c)变成S-D-D-S-S-D-D-S的排列并联管数为N,并联管的宽长比等于大尺寸管宽长比的1/N。并联后连接源和漏的金属线形成“叉指”结

6、构。3.隔离环及其作用1)寄生MOS管当金属线通过场氧化层时,金属线和场氧化层及下面的硅衬底形成一个MOS管。如果金属线的电压足够高,会使场区的硅表面反型,在场区形成导电沟道,这就是场反型或场开启。寄生MOS管接通不该连通的两个区域,破坏电路的正常工作。(a)金属导线跨过两个扩散区(b)场反型形成场区寄生MOS管寄生MOS管示意图2)场开启电压影响场开启电压的因素:①场氧化层厚度——场氧化层越厚,场开启电压就越高。②衬底掺杂浓度——衬底浓度越高,场开启电压也越高。要求场开启电压足够高,至少应大于电路的电源电压,使每个MOS管之间具有良好的隔离特性版图设计中

7、增加沟道隔离环提高场开启电压。3)沟道隔离环沟道隔离环是制作在衬底上或阱内的重掺杂区,能提高场开启电压,防止衬底反型形成寄生MOS管。P管的隔离环是N-衬底上的N+环N管的隔离环是P-阱内的P+环4)大尺寸NMOS管①制作在P阱(实线)内,有源区为虚线。②由4个MOS管并联。③多晶硅栅为封闭结构,左边用金属引线连接,保证每个并联N管的栅极得到的信号相同。④在阱外,N管四周有N+隔离环,隔离环的有源区是完整的封闭环。隔离环具有一定宽度,环上每隔一段距离开一个接触孔并用金属线将环连接到Vdd。⑤连接隔离环的金属线在左右边都开口,让金属线从隔离环内和环外进行连接

8、。⑥在P阱的上下两端各进行重掺杂,作为N管源区和衬底的接触。5)P

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