最新03-双极型晶体管(BJT)解析课件ppt.ppt

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1、进入夏天，少不了一个热字当头，电扇空调陆续登场，每逢此时，总会想起那一把蒲扇。蒲扇，是记忆中的农村，夏季经常用的一件物品。　　记忆中的故乡，每逢进入夏天，集市上最常见的便是蒲扇、凉席，不论男女老少，个个手持一把，忽闪忽闪个不停，嘴里叨叨着“怎么这么热”，于是三五成群，聚在大树下，或站着，或随即坐在石头上，手持那把扇子，边唠嗑边乘凉。孩子们却在周围跑跑跳跳，热得满头大汗，不时听到“强子，别跑了，快来我给你扇扇”。孩子们才不听这一套，跑个没完，直到累气喘吁吁，这才一跑一踮地围过了，这时母亲总是，好似生气的样子，边扇边训，“你看热的，跑什么？”此时这把蒲扇，是那么凉

2、快，那么的温馨幸福，有母亲的味道！　　蒲扇是中国传统工艺品，在我国已有三千年多年的历史。取材于棕榈树，制作简单，方便携带，且蒲扇的表面光滑，因而，古人常会在上面作画。古有棕扇、葵扇、蒲扇、蕉扇诸名，实即今日的蒲扇，江浙称之为芭蕉扇。六七十年代，人们最常用的就是这种，似圆非圆，轻巧又便宜的蒲扇。　　蒲扇流传至今，我的记忆中，它跨越了半个世纪，也走过了我们的半个人生的轨迹，携带着特有的念想，一年年，一天天，流向长长的时间隧道，袅03-双极型晶体管(BJT)解析1947年的晶体管（transistor）1947年12月16日，美国新泽西州的贝尔实验室里，3位科学家—

3、—威廉·肖克利（WilliamShockley）、约翰·巴顿（JohnBardeen）和沃特·布拉顿（WalterBrattain）成功地制造出第一个晶体管，改变了人类的历史。1950年，WilliamShockley开发出双极性接面晶体管（bipolarjunctiontransistor,BJT），也就是现在俗称的晶体管。2他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。

4、1956年，这3位科学家共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。晶体管之父WilliamShockley33.1.2晶体管放大状态下内部载流子的运动以NPN型三极管为例讨论cNNPebbec表面看三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。不具备放大作用7三极管内部结构要求：1.发射区高掺杂。2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。3.集电结面积大。NecNPb二氧化硅集电区基区发射区三极管放大的外部条件：8ecRcRb一、晶体管内部载流子的运动IEIB发射

5、结加正向电压，扩散运动形成发射极电流发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流IE(基区多子数目较少，空穴电流IEP可忽略)。2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流Ibn，复合掉的空穴由VBB补充。多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。晶体管内部载流子的运动bIE＝IEN＋IEPIENIB＝IBN＋IEP9becIEIBRcRb3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic集电结反偏，结电场的方向阻止集电区的多子（电子）向基区运动，但却将基区扩散进来的电子收集到集电极，

6、形成电流ICN。其能量来自外接电源VCC。IC同时，结电场把基区的本征少子（电子）抽取到集电区，把集电区的本征少子（空穴）抽取到基区，形成很小的少子漂移电流,即反向饱和电流，用ICBO表示。ICBO晶体管内部载流子的运动IC=ICN+ICBO10二、晶体管的电流分配关系IC=ICn+ICBOIE=IEn+IEpIB=IEP+IBNIE=IC+IB晶体管内部载流子的运动与外部电流=ICn+IBn+IEp11三、共射电流放大系数、共基电流放大系数IE=IB+ICICN＝IEIC(1－)=IB+ICBOIB＝IBN＋IEP有令---共射电流放大系数12或4、共

7、基交流电流放大系数直流参数与交流参数、的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，与，与的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。5.与的关系133.2晶体管共射电路的伏安特性iB=f(vBE)VCE=Const一.输入特性曲线+-bce共射极放大电路UBBUCCvBEiCiB+-vCE指当集射间电压不变时，输入回路中加在基极和发射极间的电压vBE和基极电流iB间的关系曲线。14VCE=0VVCE1VvBE/V(2)当VCE0时，这个电压的极性有利于把发射区扩散到基极的电子收集到集电极。如果VCE>VBE，则发射结正偏，集电结反偏。集电极

8、开始收集电子，基区复合减少，在同样的v