最新(第六章)刻蚀课件课件ppt.ppt

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1、(第六章)刻蚀课件6.1引言刻蚀的概念:用化学或物理的方法有选择地去除硅片表面层材料的工艺过程称为刻蚀。刻蚀示意图：PhotoresistmaskFilmtobeetched(a)Photoresist-patternedsubstrate(b)SubstrateafteretchPhotoresistmaskProtectedfilm刻蚀的工艺目的:把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制掩膜版图形的目的。它是在硅片上复制图形的最后主要图形转移工艺。刻蚀工艺分类：干法刻蚀和湿法刻蚀干法刻蚀：把要刻蚀的硅片放在具有反

2、应气体的等离子体真空腔中去除表面层材料的工艺过程。亚微米湿法刻蚀：把要腐蚀的硅片放在化学腐蚀液里去除表面层材料的工艺过程。大于3微米按被刻蚀的材料分：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀有图形刻蚀和无图形刻蚀6.1引言湿法刻蚀和干法刻蚀的侧壁剖面湿法刻蚀是各向同性腐蚀，不能实现图形的精确转移，一般用于特征尺寸较大的情况（≥3μｍ）。干法刻蚀有各向同性腐蚀，也有各向异性腐蚀。各向异性腐蚀能实现图形的精确转移，是集成电路刻蚀工艺的主流技术。3.刻蚀偏差刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸的变化刻蚀偏差＝Wa－Wb(a)BiasResis

3、tFilmSubstrateWbWaUndercutSubstrateResistFilmOveretch(b)4.选择比选择比：指在同一刻蚀条件下，刻蚀一种材料对另一种材料的刻蚀速率之比。高选择比:意味着只刻除想要刻去的膜层材料，而对其下层材料和光刻胶不刻蚀。SiO2对光刻胶的选择比＝（ΔTsio2/t1）/（ΔT胶/t1）＝ΔTsio2/ΔT胶（a）0时刻（b）t1时刻5.均匀性刻蚀均匀性是指刻蚀速率在整个硅片或整批硅片上的一致性情况。非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。ARDE效应-微负载效应：AspectRatioD

4、ependenceEtchingEmax：最大刻蚀速率Emin：最小刻蚀速率Eave：平均刻蚀速率微负载效应6.残留物刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。残留物的去除：湿法去胶时去除7.聚合物聚合物的形成有时是有意的，是为了在刻蚀图形的侧壁上形成抗腐蚀膜从而防止横向刻蚀，这样能形成高的各向异性图形，增强刻蚀的方向性，从而实现对图形关键尺寸的良好控制。聚合物（Polymer）的形成聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳并与刻蚀气体和刻蚀生成物结合在一起而形成的；能否形成侧壁聚合物取决于所使用的刻蚀气体类型。聚合物的缺

5、点：聚合物在刻蚀结束后难以去除；在反应室的任何地方都有聚合物，影响纵向的刻蚀速率，增加反应室的清洗工作。8.等离子体诱导损伤等离子体诱导损伤有两种情况：1）等离子体在MOS晶体管栅电极产生陷阱电荷引起薄栅氧化硅的击穿。2）带能量的离子对暴露的栅氧化层或双极结表面上的氧化层进行轰击，使器件性能退化。9.颗粒沾污颗粒沾污和缺陷由等离子体产生，是刻蚀中经常遇到的问题，应尽量减少。列举刻蚀的9个重要参数？思考：残留物和颗粒沾污的区别？6.3干法刻蚀干法刻蚀的优点（与湿法腐蚀比）1.刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制2.好的C

6、D控制3.最小的光刻胶脱落或粘附问题4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性5.化学品使用费用低干法刻蚀的缺点（与湿法腐蚀比）1.对下层材料的刻蚀选择比较差2.等离子体诱导损伤3.设备昂贵干法刻蚀过程1.刻蚀气体进入反应腔2.RF电场使反应气体分解电离3.高能电子、离子、原子、自由基等结合产生等离子体4.反应正离子轰击表面－各向异性刻蚀（物理刻蚀）5.反应正离子吸附表面6.反应元素（自由基和反应原子团）和表面膜的表面反应－各向同性刻蚀（化学刻蚀）7.副产物解吸附8.副产物去除干法刻蚀过程硅片的等离子体刻蚀过程图刻蚀作用等离

7、子体的电势分布①当刻蚀机电极加上射频功率后，反应气体电离形成辉光放电的等离子体；②在正负半周的射频电压作用下，快速运动的电子离开等离子体轰击上下电极，使接电源的电极产生一个相对地为负的自偏置直流电压；③达到一定的负电荷数量后电子会被电极排斥，产生一个带正离子电荷的暗区（即离子壳层）；④等离子体相对于接地电极产生正电势电位。电源电极自偏置电压的大小取决于RF电压的幅度、频率和上下电极面积的比值。等离子体的电势分布等离子体的电位相对于接地电极来说是正的，等离子体区域中的电势在系统中最大刻蚀机辉光放电区域原理图和电势分布图改变

8、等离子体刻蚀参数的影响6.4干法刻蚀系统及其刻蚀机理等离子体干法刻蚀系统的基本部件包括：发生刻蚀反应的反应腔、一个产生等离子体的射频电源、气体流量控制系统、去除刻蚀生成物和气体的真空系统。干法等离子体反应器的类型：圆桶式等离子体反应器；顺流刻蚀系统(化学作用)离子铣(物理作用)平板反应器；三级平面反应器；反应离子刻蚀