模拟电子电路1.2.ppt

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1、§1.4双极型晶体三极管(BJT)1.4.1BJT的工作原理1.4.2BJT的静态特性曲线1.4.3BJT的主要参数返回1.4.3BJT的小信号模型2021/9/911集电区基区发射区结构：由两个PN结和三个电极构成。有两个基本类型：NPN型PNP型基区（B）区：薄、低渗杂三个电极：发射极（Emitter）:E(e)基极（Base）:B(b)集电极（Collctor）:C集电区（C）区：渗杂适中1.4.1BJT的工作原理E发射极B基极C集电极发射结集电结1．NPN型三个区域：发射区（E区）：高渗杂两个PN结：发射结（BE结）集电结（CB结）E发射极

2、B基极C集电极发射结集电结NPN+2.PNP型NPP+返回2021/9/9213．BJT的偏置方式：①发射结正偏、集电结反偏，BJT处于放大状态②发射结反偏、集电结正偏，BJT处于反向应用状态，（一般不宜反向应用）③二个PN结均正偏，晶体管处于饱合状态④二个PN结均反偏，晶体管处于截至状态集电区基区发射区E发射极B基极C集电极发射结集电结NPN+E发射极B基极C集电极发射结集电结NPP+返回UBUCUEUC>UB>UEUCUE,UB>UCUB

3、,共射极(CE)组态,共集电极(CC)组态返回2021/9/941ECEBEBECRCbRbce●●●●一BJT的工作原理1.载流子的传输过程：将NPNBJT接成共射极型：以射极为输入和输出回路的公共端bceiEiBiCiEPib1icn1●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●○○○○○○○○○○○○ieniCiEiBien=icn1+ib1iE=ien+iEP≈ienICBO=icn2+icpiEiEiEiEiCiCiCiCiBiBiBiBiC=ICBO+icn1;iB=ib1

4、+iEP-ICBOicn2icp返回即：uBE>>UT,发射结正偏→易于E区多子扩散uCB＞0，集中结反偏→易于B区少子漂移●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●1273452021/9/951(1)多子通过EB(发射)结注入B区EBECRCbRbceiEPib1icn1●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●○○○○○○○○○○○○ieniEiEiE返回●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●

5、●●●●●1273452021/9/961(2)由浓度差引起基区非平衡少数载流子的扩散与复合。EBECRCbRbceib1icn1●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●○○○○○○○○○○○○ien返回●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●1273452021/9/971EBECRCbRbce●●●●iEPib1icn1●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●○○

6、○○○○○○○○○○ieniCiEiBiEiEiCiCiBiBicn2icp返回●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●1273452021/9/981ECEBEBECRCbRbce●●●●bceiEiBiCiEPib1icn1●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●○○○○○○○○○○○○ieniCiEiBien=icn1+ib1iE=ien+iEP≈ienICBO=icn2+icpiEiEiEiEiCiCiCiCiBiBiBiBi

7、C=ICBO+icn1;iB=ib1+iEP-ICBOicn2icp返回●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●载流子的传输过程小结：将NPNBJT接成共射极型：以射极为输入和输出回路的公共端即：UBE>>UT,发射结正偏→易于E区多子扩散UCB＞0，集中结反偏→易于B区少子漂移1273452021/9/9912.放大偏置时的电流关系EBECRCbRbce●●●●iEPib1icn1●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●

8、●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●○○○○○○○○○○○○ieniCiEiBiE