《静电场》高考解析.doc

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1、《静电场》高考解析 课程适用 新高二学生、高三总复习学生 高考分值 年份2015201420132012201120102009题号T24T15T18/T22T24T24T18/T23T16/T20分值20分6分12分20分20分12分12分 静电场概述 静电场作为电磁学最重要的一章，从历年高考的分值来看，平均分值在15分以上，2015年、2012年和2011年都是以压轴的计算题出现。静电场考查的重要的知识点有：1、电场的力的性质-电场强度、电场线；2、电场的能的性质-电势能、电势和电势差；3、电容器；4、带电粒子在电场中加速偏转等。 静电场课时规划 讲次主题课

2、时第01讲静电场重要考点知识梳理2课时第02讲静电场历年高考分析2课时第03讲静电场同步经典例题分析2课时 历年高考真题 （2015北京高考，24）（20分）真空中放置的平行金属板可以用作光电转换装置，如图所示。光照前两板都不带电。以光照射A板，则板中的电子可能吸收光的能量而逸出。假设所有逸出的电子都垂直于A板向B板运动，忽略电子之间的相互作用。保持光照条件不变，a和b为接线柱。已知单位时间内从A板逸出的电子数为N，电子逸出时的最大动能为Ekm，元电荷为e。⑴求A板和B板之间的最大电势差Um，以及将a、b短接时回路中的电流I短；⑵图示装置可看作直流电源，求其电动

3、势E和内阻r；⑶在a和b之间连接一个外电阻时，该电阻两端的电压为U。外电阻上消耗的电功率设为P；单位时间内到达B板的电子，在从A板运动到B板的过程中损失的动能之和设为ΔEk。请推导证明：P=ΔEk。（2014北京高考，15）（6分）．如图所示，实线表示某静电场的电场线，虚线表示该电场的等势面。下列判断正确的是A．1、2两点的场强相等B．1、3两点的场强相等C．1、2两点的电势相等D．2、3两点的电势相等（2013北京高考，18）（6分）．某原子电离后其核外只有一个电子，若该电子在核的静电力作用下绕核做匀速圆周运动，那么电子运动A．半径越大，加速度越大     B

4、．半径越小，周期越大C．半径越大，角速度越小     D．半径越小，线速度越小（2013北京高考，22）（16分）如图所示，两平行金属板间距为d，电势差为U，板间电场可视为匀强电场；金属板下方有一磁感应强度为B的匀强磁场。带电量为+q、质量为m的粒子，由静止开始从正极板出发，经电场加速后射出，并进入磁场做匀速圆周运动。忽略重力的影响，求：⑴匀强电场场强E的大小；（本问考查静电场）⑵粒子从电场射出时速度ν的大小；⑶粒子在磁场中做匀速圆周运动的半径R。  （2012北京高考，24）（20分）匀强电场的方向沿x轴正方向，电场强度E随x的分布如图所示，图中E0和d均为已

5、知量．将带正电的质点A在O点由静止释放．A离开电场足够远后，再将另一带正电的质点B放在O点也由静止释放．当B在电场中运动时，A、B间的相互作用力及相互作用能均为零；B离开电场后，A、B间的相互作用视为静电作用．已知A的电荷量为Q，A和B的质量分别为m和．不计重力． （1）求A在电场中的运动时间t；（2）若B的电荷量为q=Q，求两质点相互作用能的最大值Epm；（3）为使B离开电场后不改变运动方向，求B所带电荷量的最大值qm．（2011北京高考，24）（20分）静电场方向平行于x轴，其电势φ随x的分布可简化为如图所示的折线，图中φ0和d为已知量。一个带负电的粒子在电

6、场中以x= 0为中心、沿x轴方向做周期性运动。已知该粒子质量为m、电量为-q，其动能与电势能之和为-A（0

7、件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场EH，同时产生霍尔电势差UH。当电荷所受的电场力和洛伦兹力处处相等时，EH和UH达到稳定值，UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式，其中比例系数RH称为霍尔系数，仅与材料性质有关。⑴设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出UH和EH的关系式；（本问考查静电场）若半导体材料是电子导电的，请判断

8、图1中c、f哪端的电势高