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《GBT 4585-2004 交流系统用高压绝缘子的人工污秽试验》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、ICS29.080.10__“8荡I中华人民共和国国家标准GB/T4585-2004/IEC60507:1991代替GB/T4585.1-1984,GB/T4585.2-1991交流系统用高压绝缘子的人工污秽试验Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systems(IEC60507:1991,IDT)2004-05-14发布2005-02-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局.*申谊、菌、蒙辈摧埔瞥撞丫豁荟发布GB/T458
2、5-2004/IEC60507:1991前门本标准等同采用IEC60507:1991《交流系统用高压绝缘子的人工污秽试验))(英文版)。为便于使用,本标准做了下列编辑性修改:a)用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”;b)删除IEC60507:1991的前言。本标准代替GB/T4585.1-1984《交流系统用高压绝缘子人工污秽试验方法盐雾法》和GB/T4585.2-1991《交流系统用高压绝缘子人工污秽试验方法固体层法》。本标准与GB/T4585.1-1984和GB/T4585.2-1991相比主要变化如下:—对试
3、验设备的短路电流要求不同。GB/T4585.1和GB/T4585.2规定短路电流不小于10A,而本标准规定短路电流与被试绝缘子爬电比距有关,当爬电比距在16mm/kV至25mm/kV之间变化时,最小短路电流应在6A至15A之间变化才能满足要求;—本标准规定绝缘子盐雾法试验时应进行预处理(本标准的第10章),而GB/T4585.1无此规定。—GB/T4585.2规定的染污方法包括有定量涂刷法,而本标准未规定此方法。—GB/T4585.2规定染污的污液有两种,其中的惰性材料一为硅藻土,另一为硅藻土和高度分散的二氧化硅。本标
4、准规定的染污污液有两种,其中一种与GB/T4585.2相同,所含惰性材料为硅藻土和高度分散二氧化硅,另一种所含惰性材料为高岭土(或砒石粉)。本标准的附录A、附录B、附录C、附录D均为资料性附录。本标准由中国电器工业协会提出。本标准由全国绝缘子标准化技术委员会归口。本标准起草单位:西安电瓷研究所、武汉高压研究所、重庆大学。本标准主要起草人:李大楠、吴光亚、蒋兴良、丘志贤。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:---GB/T4585.1一1984,GB/T4585.2一1991。GB/T4585-2004/IEC60507
5、:1991交流系统用高压绝缘子的人工污秽试验第一节总则1范围本标准适用于系统最高电压1kV-765kV范围内的交流系统用户外和暴露在污秽大气中的瓷和玻璃绝缘子的工频耐受特性的测定。这些试验不能直接应用于涂油绝缘子和特殊型式的绝缘子(具有半导电釉的绝缘子或覆盖有任何有机绝缘材料的绝缘子)。2目的本标准的目的是规定适用于架空线路、变电站、牵引线路绝缘子以及套管的人工污秽试验程序。3定义为本标准的目的,规定了下列定义。3.1试验电压testwww.bzfxw.comvoltage在整个试验期间连续地施加到绝缘子上的电压的方均
6、根值。3.2试验设备的短路电流(几)short-circuitcurrent(人)ofthetestingplant试品在试验电压下短路时由试验设备所供给的电流的方均根值。3.3绝缘子的爬电比距(Ls)specificcreepagedistance(Ls)ofaninsulator绝缘子的总爬电距离L除以试验电压与万的积;它通常以mm/kV来表示。3.4绝缘子的形状因数(F)formfactorofaninsulator(F)形状因数是由绝缘子尺寸确定的。为了图解估算此形状因数,应将绝缘子圆周的倒数值(1/P)对从绝
7、缘子一端到所考虑点的局部爬电距离l画出。形状因数由这个曲线下的面积给出并按下式计算:L。fdlF=!,竺Jp0又‘)3.5盐度(S,)salinity(S,)盐在自来水中的溶液的浓度,它由盐量除以溶液体积来表达;它通常以kg/ms来表示。3.6污秽层pollutionlayer由盐和惰性材料组成的绝缘子表面上的导电电解层。在绝缘子上污秽层的电导按16.1条测量。GB/T4585-2004八EC60507:19913.7污层电导率(K)layerconductivity污层的电导与形状因数的乘积;它通常以ttS表示。3.
8、8附盐密度(SDD)saltdepositdensity(SDD)沉积在绝缘子一给定表面(金属部分和胶合材料不计入此表面)上的盐量除以该表面的面积(见16.2);它通常以Mg/CM,表示。3.9污秽度degreeofpollution表征施加在被试绝缘子上的人工污秽的量(盐度、污层电导率、附盐密度)的值。3.10基准盐度refer
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