高频电子线路课程设计-高频放大器.doc

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1、高频电子线路课程设计题目：高频放大器班级：2008级通信工程姓名：学号：成绩：一、设计任务要求设计一个调频电路中载波输入中的高频放大器（调谐放大器），由LC单回路构成集电极的负载，调谐于放大器的中心频率。调谐放大器的种类很多，按调谐回路分为单调谐、双调谐和参差调谐等放大器；而按电路联接方式又可分为共射、共基、共集三种放大器。一般说，采用双调谐回路的放大器，其频率响应在通频带内可以做得较为平坦，在频带边缘上有更陡峭的截止。超外差接收机中的中频放大器常采用双回路的调谐放大器。双调谐回路谐振放大器主要技术指标：静态工作点、电压增益、通频带、矩形系数，将其与单调谐回路谐振放大器进行比较

2、，得到对同一输入信号而言，双调谐回路谐振放大器比单调谐回路谐振放大器的电压增益有所增大、通频带显著加宽、矩形系数明显改善，高频小信号放大器主要应用于接收机的高频放大器和中频放大器中，目的是对高频小信号进行线性放大。二、高频放大器方案分析由于单调谐放大器的频带较窄,选择性较差。优点是线路简单,调整方便。通常当放大器的相对带宽B/ f 较小时(B/ f < 5 %) ,可以采用这种线路。双调谐放大器具有较好的选择性和较宽的通频带。它由两级调谐回路组成,分别称为初、次级回路,通过电容或电感耦合。其电路比较复杂,调整比较困难。单调谐放大器实验框图如下：输入信号直流偏置电路高频交流放大器

3、图中，直流偏置电路中包括基极分压式偏置电阻、发射机负反馈偏置电阻和旁路电容。高频交流放大电路包括输入回路、晶体管、输出回路（LC并联谐振回路，输出变压器和负载）。二、电路工作原理及设计说明1、实验电路图双调谐回路放大器具有较好的选择性、较宽的通频带，并能较好地解决增益与通频带之间的矛盾，因而它被广泛地用于高增益、宽频带、选择性要求高的场合。但双调谐回路放大器的调整较为困难。双调谐回路放大器如图所示，图中由C3、C4、C5、C9、C10、L1、L2组成的双调谐回路。2、三极管输入输出特性(1)、Uce>0时的输入特性当Uce>0时，这时电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电

4、极、Uce>Ube，三极管处于放大状态。当Uce≥1V是的输入特性具有实用意义。Ib/uAIBUCEICVCCRbVBBcebRCV-+V-+mA-++-mAUBE0三极管的输入特性三极管共射特性曲线测试电路(2)、输出特性Ic/mAIc=f（Uce）

5、Ib=常数三极管的特性曲线划分为三个区：截止区、放大区和饱和区。4100uA饱和区放大器①截止区：是Ib≤0的区域。80uAIb=0时，Ic=Iceo。硅管约等于1uA，360uA锗管约为几十～几百微安，两个发射结240uA和集电结都处于反向偏置。120uA②放大区：是Ube>0,Ubc<0的区域。Ib=0截止区发射结正向偏置，

6、集电结反向偏置。在放大区中，各条输出曲线比较平坦，近0510Uce似为水平线，且等间距。集电极电流和基三极管输出特性曲线极电流体现放大作用，即△Ic=△Ib③饱和区：②是Ube>0,Ubc>0的区域。发射结和集电结均正偏。在饱和区中，Ic基本上不随Ib而变化。在饱和区，三极管失去放大作用，Ic≠Ib。当Uce=Ube，即Ucb=0时，称临界饱和，Uce

7、K为耦合因子，QL为有载品质因素。对耦合回路来讲，可分为临界耦合、强耦合及弱耦合。>1=1<1O①临界耦合的条件η＝1,谐振曲线较平坦，在（=0）处，出现最大峰值。此时=②强耦合条件η＞1,谐振曲线出现双峰，两个双峰点位置在此时=③弱耦合条件η＜1，调谐曲线在（=0）处出现峰值。此时=并联谐振回路调谐在放大器的工作频率上，则放大器的增益就很高；偏离这个频率放大器的放大作用就下降。可以测出的是(5)、通频带指放大电路增益由最大值下降3db时对应的频带宽度。它相当于输入不变时，输出电压由最大值下降到0.707倍或功率下降到一半时对应的频带宽度，如图5—1所示。由于放大器放大的是已调

8、信号，已调制的信号都包含一定的频谱宽度，所以放大器必须有一定的通频带以便让必要的信号中的频谱分量通过放大器。BW=与谐振回路相同，放大器的通频带决定于回路形式和回路的等效品质因数QL。此外放大器的总通频带，随着级数的增加而变窄，并且通频带越宽，放大器的增益越小。(6)、谐振角频率或、(7)、选择性放大器对通频带外干扰信号的衰减能力,有两种表征方法：其一，用矩形系数说明邻近波道选择性的好坏：矩形系数Kr0.1定义为：Kr0.1=2△f0.1/(2△f0.7)矩形系数Kr0.01定义为：Kr0.