功率半导体元件的损耗计算分析方法.ppt

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1、功率半导体元件的损耗计算分析方法目录相关概念以PFC为例分析IGBT,DIODE的损耗热阻概念介绍讨论题目损耗分析的意义损耗分析的意义-用于估算效率-散热设计-元件选择UPS损耗的分布风扇损耗相关概念导通损耗关断损耗二极管的反向恢复电流Junction温度,Case温度热阻相关概念IGBT和DIODE输出特性曲线相关概念—IGBT损耗分布IGBT总损耗导通损耗开关损耗驱动损耗开通损耗关断损耗相关概念—开关和导通损耗EswonEswoffVceIcVcesatEon相关概念--DIODE的损耗分析总损耗导通损耗开关损耗关断损耗忽略开通损耗;关断损耗主要由反向恢复电流

2、造成.以30KPFC部分为例分析损耗SCRIGBTDIODE以30K为例分析PFCIGBT的损耗—导通损耗计算条件-假设输入电压Vin-负载110%RLOAD-效率η-考虑CHARGER功率PchgrIGBT的损耗—导通损耗第一步,得到输入电流波形的函数IGBT的损耗—导通损耗第二步,根据拓扑得到IGBT的DUTY函数IGBT的损耗—导通损耗第三步,根据DUTY函数,得到IGBT的电流波形及其函数IGBT的损耗—导通损耗第四步，根据IGBT电流波形函数，及IGBT的输出阻抗计算导通损耗。IGBT的损耗—开关损耗第一步,计算开关损耗。假设开关损耗与导通电流和直流电压

3、成正比。DIODE的损耗—导通损耗第一步,得到输入电流波形的函数DIODE的损耗—导通损耗第二步,根据拓扑得到DIODE的DUTY函数DIODE的损耗—导通损耗第三步,根据DUTY函数,得到DIODE的电流波形及其函数DIODE的损耗—导通损耗第四步，根据DIODE电流波形函数，及DIODE的输出阻抗特性计算导通损耗。DIODE的损耗—关断损耗关断损耗主要与二极管的反向恢复电流有关.求得二极管平均电流,作为IF,VD为反向恢复电压.反向恢复电流与VD的积分为二极管的关断损耗.热阻分析Rthjunction-caseRthcase-sinkRthsink-ambie

4、ntTaPloss讨论题目分析两电平逆变的主要开关管的损耗,列出分析思路,并指出温升实验时的最大允许温度.分析三电平逆变的主要开关管的损耗,列出分析思路,并指出温升实验时的最大允许温度.分析影响开关管损耗的主要因素影响DIODE的损耗的损耗的因素导通损耗主要由以下因素决定-导通电流（根据输出特性曲线确定）-DutyCycles开关损耗主要由以下因素决定-导通电流，反向恢复电流-DC电压-开关频率影响IGBT的损耗的损耗的因素导通损耗主要由以下因素决定-导通电流（输出特性曲线VCE=f(IC)确定）-DutyCycles开关损耗主要由以下因素决定-导通电流-DC关断

5、电压-开关频率