第12章 半导体存储器.ppt

《第12章 半导体存储器.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、第12章半导体存储器孙卫强内容提要概述只读存储器（ROM）随机存储器（RAM）存储器容量的扩展用存储器实现逻辑函数存储器随机存取存储器混合型存储器只读存储器SRAMDRAMNVRAMFlashEEPROMEPROMPROMMaskedROMFPM-DRAMEDRAMEDODRAMSDRAMRAMBUSRAM存储器的分类存储器随机存取存储器混合型存储器只读存储器SRAMDRAMNVRAMFlashEEPROMEPROMPROMMaskedROMFPM-DRAMEDRAMEDODRAMSDRAMRAMBUSR

2、AM存储器的分类计算机系统里面常用的半导体存储器类型Type是否易失是否可写擦除大小最大擦除次数每byte价格速度SRAMYesYesByteUnlimitedExpensiveFastDRAMYesYesByteUnlimitedModerateModerateMaskedROMNoNon/an/aInexpensiveFastPROMNo一次n/an/aModerateFastEPROMNo需要编程器EntireChipLimited(consultdatasheet)ModerateFastEEPR

3、OMNoYesByteLimited(consultdatasheet)ExpensiveFasttoread,slowtoerase/writeFlashNoYesSectorLimited(consultdatasheet)ModerateFasttoread,slowtoerase/writeNVRAMNoYesByteUnlimitedExpensive(SRAM+battery)Fast各种存储器特性比较只读存储器ROM掩膜只读存储器(MaskedROM)可编程只读存储器(PROM)可擦除的可编

4、程只读存储器(EPROM)电可擦除可编程只读存储器(E2PROM)FlashROM输入和输出地址输入端Ax数据输出端Dx片选端CE输出使能OE掩膜只读存储器(MaskedROM)容量:8个4bit数wordline:字线bitline:位线ROM结构+-CMOS反相器二极管的导通与截至ROM结构1011111111011010100ROM结构1010100交叉点有二极管：存储1否则，存储0掩膜只读存储器(MaskedROM)在存储矩阵中，有二极管的点相当于存1；否则是存0。wordlinebitline该

5、存储器的容量wordline:字线，用来选择一个字bitline:位线，用来选择一个bit4个4bit数掩膜只读存储器(MaskedROM)去往存储矩阵A1A0输入某组合时，选通W0W3中的一个，输出为高。01字线(WordLine)掩膜只读存储器(MaskedROM)10001001字线中的一个被选通（为高）时，相应交叉点的二极管导通，把位线拉高。位线(BitLine)字线(WordLine)用MOS管构成的存储矩阵字线，来自地址译码器位线使用二维译码的ROM字线位线容量：8×16容量：128×1使用

6、二维译码ROM实现逻辑函数?在128个交叉点中合适的位置放上二极管.D0=A6’A5A4’A3’A2’A1’A0线与和线或上拉电阻和线与结构Y=ABCDY=A+B+C+D下拉电阻和线或结构只读存储器ROM掩膜只读存储器(MaskedROM)可编程只读存储器(PROM)可擦除的可编程只读存储器(EPROM)电可擦除可编程只读存储器(E2PROM)Flash可编程只读存储器(PROM)在所有交叉点上都配置三极管（缺省存入1）编程时将不需要的三极管对应的熔丝烧断即可熔丝被烧断的交叉点存储0，否则存储1PROM和

7、编程器万能编程器PROM编程使能端只读存储器ROM掩膜只读存储器(MaskedROM)可编程只读存储器(PROM)可擦除的可编程只读存储器(EPROM)电可擦除可编程只读存储器(E2PROM)Flash可擦除的可编程只读存储器(EPROM)紫外线可擦除ROM只读存储器ROM掩膜只读存储器(MaskedROM)可编程只读存储器(PROM)可擦除的可编程只读存储器(EPROM)电可擦除可编程只读存储器(E2PROM)Flash存储器存储器随机存取存储器混合型存储器只读存储器SRAMDRAMNVRAMFlash

8、EEPROMEPROMPROMMaskedROMFPM-DRAMEDRAMEDODRAMSDRAMRAMBUSRAM静态RAM(SRAM)地址输入端An-1..A0数据输入端DINb-1..0数据输出端DOUTb-1..0片选CS写使能WE输出使能OESRAM操作时序—读时序SRAM的基本单元IN:数据输入SEL_L:片选,低有效WR_L:写使能,低有效当SEL_L有效时，数据被输出当SEL_L和WR_L同时有效时，数据被写入