3、V左右，锗二极管的死区电压Vth=0.1V左右。当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段：当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。反向特性当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。3）硅、锗二极管的伏安特性曲线硅二极管2CP10的V-I特性锗二极管2AP15的V-I特性正向特性反向特性反向击穿特性二极管的
4、特性对温度很敏感,温度升高,正向特性曲线向左移,反向特性曲线向下移。其规律是：在室温附近,在同一电流下,温度每升高１℃,正向压降减小２～２.５ｍV；温度每升高１０℃,反向电流约增大1倍。4)二极管的温度特性：(1)最大整流电流ＩＦ。它是二极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于ＩＦ,如超过ＩＦ,二极管将过热而烧毁。此值取决于ＰＮ结的面积、材料和散热情况。(2)最大反向工作电压ＵＲ。这是二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时,二极管可能被击穿。为了留有余地,通常取击穿电压的一半作为ＵＲ。1.3.3二极管的参数(3)反向电流Ｉ
5、Ｒ。指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小,二极管的单向导电性越好。由于反向电流是由少数载流子形成,所以ＩＲ值受温度的影响很大。(4)最高工作频率ｆＭ。ｆＭ的值主要取决于ＰＮ结结电容的大小,结电容越大,则二极管允许的最高工作频率越低。(5)二极管的直流电阻ＲＤ。加到二极管两端的直流电压与流过二极管的电流之比,称为二极管的直流电阻ＲＤ,即此值可由二极管特性曲线求出,如图示。工作点电压为ＵＦ＝１.５V,电流ＩＦ＝５０ｍΑ,则图求直流电阻(6)二极管的交流电阻ｒｄ。在二极管工作点附近,电压的微变值ΔＵ与相应的微变电流值ΔＩ之比,称为该点的交流电阻ｒ
6、ｄ,即从其几何意义上讲,当ΔU→０时ｒｄ就是工作点Ｑ处的切线斜率倒数。显然,ｒd也是非线性的,即工作电流越大,ｒｄ越小。交流电阻ｒｄ也可从特性曲线上求出,如图１-１５所示。过Ｑ点作切线,在切线上任取两点Ａ、Ｂ,查出这两点间的ΔＵ和ΔＩ,则得图1-15求交流电阻4.微变电阻rDiDuDIDUDQiDuDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。交流电阻rd也可利用PN结的电流方程求出。即式中,IDQ为二极管工作点的电流,单位取mA。式(1-5)的近似等式在室温条件下(T=300K)
7、成立。对同一工作点而言,直流电阻RD大于交流电阻rd；对不同工作点而言,工作点愈高,RD和rd愈低。取I的微分可得:部分国产半导体高频二极管参数表最高反向工作电压（峰值）V反向击穿电压V正向电流mA反向电流μA最高工作频率MHZ极间电容Pf最大整流电流mA2AP120≥40≥2.5≤250150≤1162AP7100≥150≥5.0≤250150≤112参数型号部分国产半导体整流二极管参数表最大整流电流A最高反向工作电压（峰值）V最高工作电压下的反向电流（125度）μA正向压降（平均值）V最高工作频率MHZ2CZ52A0.1251000≤0.832
8、CZ54D0.514001000≤0.832CZ57F530001000≤0.83参数型号特性uDiD符号及
