模拟电路基础试题上课讲义.doc

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1、精品好文档，推荐学习交流模拟电路基础测试题一：填空题(每题1分，共15分)1.PN结的基本特性是特性。2.双极型晶体管(BJT)的特征频率是指使下降为1时的频率。3.某放大器的电压增益AV=-70.7倍。该增益换算成分贝应为分贝。4.当N沟道结型场效应管(JFET)内的沟道预夹断时，VGS和VDS满足关系式。5.在集成放大器内部电路中，为了提高电压增益，常采用作负载。6.零点漂移是放大器的一个特有的现象。 7.当放大器小信号模型中只有一个独立电容时，该电容的将决定放大器的截止频率。8.如果要使放大器的输入电阻增加，可以采用负反馈。 9.理想运放分析法的实质是条件在其应用电路中能够满足。

2、10.放大器增益的对数频率特性曲线又称为。 11.变容二极管利用反偏二极管的工作。 12.当放大器输出信号的频率分量与输入信号不完全相同时，放大器出现了失真。 13.乙类功放在小信号工作时，因失真使得输出波形畸变更严重。 14.要使负载变化是放大器的输出电压的变化减小，可对放大器采用仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢9精品好文档，推荐学习交流负反馈。 15.当集成放大器内部需要微电流时，采用微电流恒流源要优于采用基本镜像恒流源。原因之一是：    窗体顶端三：单项选择题（每题1分，共10分）1.图1所示硅二极管电路中的vi(t)是振幅等于2v的低频正弦电压。该电路中，电阻

3、RL上的电压vo(t)的波形应该为()。 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢9精品好文档，推荐学习交流A.B. C.D.窗体底端窗体顶端2.测得某放大器中一支BJT的三个电极的直流电压为：-0.1v,+7.3v和-0.82v。由此可以判断，该管是()。 A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管窗体底端窗体顶端3.在下面关于放大器的四钟说法中，只有()是肯定正确的。 A.放大器有功率放大功能B.放大器有电压放大功能 C.放大器有电流放大功能D.放大器的增益带宽积为常数窗体底端窗体顶端4.FET共漏(CD)放大器与BJT放大器中的（）组态性能相似。 A.CCB.CEC.

4、CBD.CE-CB窗体底端窗体顶端5.图2是OTL功放原理电路，该电路最大输出功率的理论值为（）W。 A.18B.9C.4.5D.2.25窗体底端窗体顶端6.接上题。在选择功率管T1和T2时，每管的集电极最大耗散功率PCM必须大于（）W。 A.3.6B.1.8C.0.9D.0.45窗体底端窗体顶端仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢9精品好文档，推荐学习交流7.接5题。在静态时，OTL功放中与负载串联的电容中的电压应该为()伏。 A.1.5aB.3C.6aD.12窗体底端窗体顶端8.将图3电路中的电阻()换成电容，电路的功能改变为微分电路。 A.R1B.R2C.R3D.R49.如果用

5、电压比表示用信号流图画出的反馈放大器（图4）的环路传输T,则T=()。 A.vi/vfB.vf/viC.vs/vfD.vf/vs窗体底端窗体顶端10.在下面4种基本放大器组态中，电路()的小信号范围最小。 A.CE放大器B.CS放大器C.CE差动放大器D.CS差动放大器11.晶体管特性曲线不能用来()。 A.判断管子的质量B.估算晶体管的一些参数 C.分析放大器的频率特性D.图解分析放大器的指标12.通用集成运算放大器内部电路不具有()的特性。 A.开环增益高B.输入电阻大 C.深度负反馈D.输出电阻小13.在图3所示运放应用电路中，称为“虚地”的点是（）点。 A.AB.BC.CD.D14

6、.在以下关于深负反馈的论述中，()是错误的。 A.深负反馈，放大器增益与晶体管参数几乎无关 B.深负反馈，放大器不易自激 C.深负反馈，放大器中频段增益稳定性很高 D.深负反馈，放大器的通频带展宽15.差动放大器一端的输入电压Δv1=1mV，且差模输入电压等于共模输入电压，则另一端输入电压Δv1=()mV A.1 B.1/2C.1/3 D.2窗体底端一.选择题（60分）仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢9精品好文档，推荐学习交流1.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12千欧的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为__。 A:10千欧； B:2千欧； C:

7、4千欧； D:3千欧。 2.某共射放大电路如图8.1.1所示，其中Rb=470千欧，Rc=2千欧，若已知Ic=1mA，VCE=7V,VBE=0.7V,rbe=1.6千欧，ß=50，则说明__. A:Av=Vo/Vi=VCE/VBE=7/0.7=10; B:Av=Vo/Vi=-IcRc/VBE=-1*2/0.7=-3; C:Av=Vo/Vi=-IcRc/IbRi=-62.5; D:Av=Vo/Vi=-ßRc/rbe=-62