最新第二章 PN结.doc

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1、第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（         ）和（         ）。2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（ ）电荷，N区一侧带（ ）电荷。内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（         ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电

2、势Vbi就越（ ），反向饱和电流I0就越（ ），势垒电容CT就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。5、硅突变结内建电势Vbi可表为（             ），在室温下的典型值为（   ）伏特。6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（   ），势垒区的势垒高度会（   ）。7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（   ），势垒区的势垒高度会（   ）。8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为（           ）。若P型区的掺杂浓度NA=1.5×1017cm-3，

3、外加电压V=0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为（         ）。9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）。10、PN结的正向电流由（         ）电流、（         ）电流和（          ）电流三部分所组成。11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（   ）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（   ）。12、当对PN

4、结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（   ）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（   ）。13、PN结扩散电流的表达式为（                 ）。这个表达式在正向电压下可简化为（         ），在反向电压下可简化为（   ）。14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（   ）电流为主；当电压较高时，以（   ）电流为主。15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（           ）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（ 

5、      ）。16、小注入条件是指注入某区边界附近的（         ）浓度远小于该区的（       ）浓度，因此该区总的多子浓度中的（         ）多子浓度可以忽略。17、大注入条件是指注入某区边界附近的（         ）浓度远大于该区的（       ）浓度，因此该区总的多子浓度中的（       ）多子浓度可以忽略。18、势垒电容反映的是PN结的（               ）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（ ）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（ ）。19、扩

6、散电容反映的是PN结的（                 ）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（ ）；少子寿命越长，则扩散电容就越（ ）。20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（   ）区中的（         ）电荷。这个电荷的消失途径有两条，即（             ）和（   ）。21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（           ）和（                       

7、  ）。22、PN结的击穿有三种机理，它们分别是（       ）、（       ）和（     ）。23、PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越（ ）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（ ）。24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（         ）和（           ）。问答与计算题1、简要叙述PN结空间电荷区的形成过程。2、什么叫耗尽近似？什么叫中性近似？3、什么叫突变结？什么叫单边突变结？什么叫线性缓变结？分别画出上述各种PN结的杂质浓度分布图、内建电场分布图和外加正向电压及反向电压时的少子浓度分布图。4

8、、PN结势垒区的宽度与哪些因素有关？5、写出PN结反向饱和电流I0的表达式，并对影响I0的各种因素进行讨论。6、PN结的正向电流由正向扩散电流和势垒区复合电流组成。试分别说明这两种电流随外加正向电压的增加而变化的规律。当正向电压较小时以什么电流为主？当正向电压较大时以什么电流为主？7、什么是小注入条件？什么是大注入条件？写出小注入条件和大注入条件下的结定律，