霍尔传感器资料word版本.ppt

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1、霍尔传感器资料图1-1所示,在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板,导电板通以电流I,方向如图所示。导电板中的电流是金属中自由电子在电场作用下的定向运动。此时,每个电子受洛仑磁力fm的作用,fm大小为fm=eBv(1-1)式中:e——电子电荷;v——电子运动平均速度;B——磁场的磁感应强度。1-1霍尔效应原理图fm的方向在图1-1中是向上的,此时电子除了沿电流反方向作定向运动外,还在fm的作用下向上漂移,结果使金属导电板上底面积累电子,而下底面积累正电荷,从而形成了附加内电场EH,称霍尔电场,该电场强度为EH=(1-2)式中UH为电位差。霍尔电场的出现,使定向运动的

2、电子除了受洛仑磁力作用外,还受到霍尔电场的作用力,其大小为eEH,此力阻止电荷继续积累。随着上、下底面积累电荷的增加,霍尔电场增加,电子受到的电场力也增加,当电子所受洛仑磁力与霍尔电场作用力大小相等、方向相反时,即eEH=evB(1-3)则EH=vB(1-4)此时电荷不再向两底面积累,达到平衡状态。若金属导电板单位体积内电子数为n,电子定向运动平均速度为v,则激励电流I=nevbd,则v=(1-5)将式(1-5)代入式(1-4)得EH=(1-6)将上式代入式(1-1)得UH=(1-7)式中令RH=1/(ne),称之为霍尔常数,其大小取决于导体载流子密度

3、,则UH=RH(1-8)式中KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度。由式(1-8)可见,霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔常数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度,霍尔元件常制成薄片形状。对霍尔片材料的要求,希望有较大的霍尔常数RH,霍尔元件激励极间电阻R=ρL/(bd),同时R=UI/I=EIL/I=vL/(μnevbd),其中UI为加在霍尔元件两端的激励电压,EI为霍尔元件激励极间内电场,v为电子移动的平均速度。则(1-9)解得RH=μρ(1-10)从式(1-10)可知,霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率μ的乘积。若要霍尔

4、效应强,则RH值大,因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。一般金属材料载流子迁移率很高,但电阻率很小;而绝缘材料电阻率极高,但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有:锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造,其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好,其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。表1-1为常用国产霍尔元件的技术参数。表1-1常用霍尔元件技术参数2.霍尔元件基本结构霍

5、尔元件的结构很简单,它由霍尔片、引线和壳体组成,如图1-2(a)所示。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片,引出四个引线。1、1′两根引线加激励电压或电流,称为激励电极;2、2′引线为霍尔输出引线,称为霍尔电极。霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。在电路中霍尔元件可用两种符号表示,如图1-2(b)所示。1-2霍尔元件(a)外形结构示意图(b)图形符号霍尔传感器霍尔电压传感器1.2霍尔传感器的应用(一)、差动霍尔电路制成的霍尔齿轮传感器,如图1所示,新一代的霍尔齿轮转速传感器,广泛用于汽车智能发动机,作为点火定时用的速度传感器,用于ABS(汽车防抱死制动系统)作为车速传

6、感器等。霍尔转速传感器采用霍尔效应,当金属齿经过霍尔传感器前端时,引起磁场变化,霍尔元件检测到磁场变化,并转换成一个交变电信号,传感器内置电路对该信号进行放大、整形,输出良好的矩形脉冲信号。尔轮速传感器也是由传感头和齿圈组成。传感头由永磁体,霍尔元件和电子电路等组成,永磁体的磁力线穿过霍尔元件通向齿轮。 霍尔轮速传感器具有以下优点:其一是输出信号电压幅值不受转速的影响。;其二是频率响应高。其响应频率高达20kHz,相当于车速为1000km/h时所检测的信号频率;其三是抗电磁波干扰能力强。因此,霍尔传感器不仅广泛应用于ABS轮速检测,也广泛应用于其控制系统的转速检测。图1HE-

7、01霍尔转速传感器图2霍尔速度传感器的内部结构利用霍尔传感器测转速的结果原理如图2所示。它实际就是利用霍尔开关与电机轴连接的轮片上粘有多对小磁钢(N.S极),小磁钢越多,分辨率就越高。霍尔开关固定在小磁钢附近,轮旋转时,磁钢经过霍尔开关集成电路时,开关集成器就会产生一个响应的脉冲,检测出的单位时间的脉冲数,其长度就是轮轴的转动周期T及其转速n。n=1/TUH=RH霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔常数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度,霍尔元件常制成薄片形状

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