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1、40W电源管理控制ICME8204深圳市振华凌云科技有限公司产品设计应用指导书ItemNo.:ME8204产品编号:Product:40W电源管理控制IC产品名称:Date:2013/12/27日期:40W电源管理控制ICME8204深圳市振华凌云科技有限公司一、芯片基本介绍ME8204主要是适配器、充电器、开关电源、家电类、通讯类电源而设计的一款高性能控制芯片。主要特点:1)低待机功耗:通过低功耗间歇工作模式设计,达到小于100mW超低耗的性能。2)无噪声工作:优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作。3)更低启动电流:VDD启
2、动电流低至5uA,可有效地减少系统启动电路的损耗,缩短系统的启动时间。4)更低工作电流:工作电流约为1.8mA,可有效降低系统的损耗,提高系统的效率。5)内置前沿消隐:内置前沿消隐(LEB),可以节省一个外部的R-C网络,降低系统成本。6)内置良好的OCP补偿:内置了OCP补偿功能,使系统在不需要增加成本的情况下轻易使得全电压范围内系统的OCP曲线趋向平坦,提高系统的性价比。7)完善的保护功能:集成了完善的保护功能模块。OVP,UVLO,OCP,恒定的OPP和外部可调节的OTP功能可以使系统设计简洁可靠,同时满足安规的要求。8)软启动功能:内
3、置4mS软启动功能,可有效降低系统开机MOS管漏源之间电压过冲。9)较少的外围器件:外围比较简单,可有效提高系统的功率密度,降低系统的成本。10)优良的EMI特性:内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的EMI特性二、管脚定义引脚名称描述说明GND芯片地FB反馈输入引脚。PWM占空比取决于这个引脚电压等级和SENSE引脚输入。RT过温保护设置脚SENSE电流检测输入引脚。连接到MOSFET的电流检测电阻器节点。VDD芯片直流电源引脚。GATE图腾柱栅极驱动输出的功率MOSFET。40W电源管理控制ICME8204深圳市振华凌云科技有限公司三、
4、功能框图四、各脚的功能以及调试中注意事项:1.电源VDD脚:ME8204的启动电流低至5uA,可有效地减少系统启动电路的损耗,缩短系统的启动时间。启动电阻RIN的最大功率损耗:在下图中,RIN的最大功率损耗可以用下面的公式计算出来,公式如下:Vdc,max:最大输入电压整流后的直流电压V:芯片正常工作的电压40W电源管理控制ICME8204深圳市振华凌云科技有限公司2.FB反馈输入脚:了解该脚各电压门限相对应的系统工作状态对分析和优化系统设计非常有帮助的。0.9V-1.0V为系统在轻载间歇模式下的FB脚电压值,1.0V-3.7V为系统正常工作
5、时FB脚电压值(该电压段对应的开关频率随电压增高频率增大,最大增高到65K左右),3.7V-4.2V为反馈环路开路,过功率保护,短路保护时FB脚电压值。0.85V(典型值)以下GATE端输出被关闭,FB短路电流典型值为0.3mA。当FB脚电压持续88mS大于3.7V或小于0.9V时,GATE端立即关闭输出脉冲,保护整个系统的安全。3.电流检测SENSE脚:开关电流经过一检测电阻流进SENSE脚,进行PWM调制。另外内置一前沿消隐电路,可以为系统节省一外部R-C网络。如前沿噪声超过前沿消隐时间导致系统异常时,可以考虑外加R-C网络,但是R-C网
6、络取值不宜过大(推荐R-C网络的取值为:R≤510Ω,C≤220PF没有特别的需要,不建议外接R-C网络),否则电流反馈信号失真过大导致在启动和输出短路时MOS管VDS过高等异常现象。4.GATE驱动脚:ME8204采用图腾结构驱动输出,可直接驱动MOSFET。同时芯片还内置了一个12V的驱动输出嵌位电路,防止由于某种原因导致系统驱动输出电压过高使MOSFET的栅极击穿。5.RT端应用及软启动电路:RT端内部连接了一个恒流源,该恒流源提供的电流与芯片的工作频率成反比,在R1=100K时,恒流源提供的电流为70uA(典型值),R1=130K时,
7、恒流源提供的电流约为53.8uA(典型值)。当因某种因素导致系统内部温度逐渐上升时,NTC温度补偿电阻受温度升高的影响,其阻值逐渐降低,从而使RT端的电压逐渐下降,直到RT端的电压降到1.V(典型值)以下并持续100uS后,芯片Gate停止驱动,电源输出关闭,保护整个系统;当系统内部温度逐渐降低时,温度补偿电阻受温度下降的影响,其阻值逐渐升高,从而使RT端的电压逐渐上升,直到RT端的电压上升到1.07V(典型值)并持续100uS后,芯片自动恢复输出,系统恢复正常工作。由于NTC电阻的精度及生产过程中NTC电阻检测点的不一致性导致系统的OTP点
8、误差较大,推荐R1使用可调电阻,产品在生产时可通过调节该可调电阻阻值来调整系统的OTP的精度,满足不同的客户需求。9.动态响应(DNY)的调整:从动态响应的原理来看
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