欢迎来到天天文库
浏览记录
ID：59816809
大小：1.74 MB
页数：8页
时间：2020-11-25
《说明下列图中教程文件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、说明下列图中思考题5.计算太阳电池的转换效率。设Si太阳电池，在AM1日照条件下Jsc=35mA/cm2，J0=10-11mA/cm2。注：思考题6.硅太阳电池的典型开路电压为0.6V，而GaAs电池的约为1.0V。在绝对与相对两种情况下，试比较两种电池在300K时的开路电压与温度的理论关系（零度时的禁带宽度分别为1.2和1.57eV）。思考题7.右图为温度对太阳电池转换效率的影响。请对Si与GaAs以温度为横坐标绘出其对电池效率的影响。并根据理论关系讨论所绘结果。思考题8.分别分析下列10因素如何影响太阳电池的转换效率：温度T、
2、复合寿命、禁带宽度Eg、表面复合寿命S、聚光率、受主浓度Na、施主浓度Nd、电池厚度、串联电阻与电池表面反射率。思考题9.（a）光子通量为每秒、单位面积N个光子的单色光入射到半导体表面，其反射率为R。如果半导体在该波长的吸收系数为，试给出光子通量与进入半导体的深度x之间的关系。（b）假设每吸收一个光子产生一对电子空穴对，根据上述参数求出电子-空穴对的产生率G与光穿透半导体的深度的关系。并用图表示光生载流子率随深度变化的关系。思考题10.地面阳光的光子通量约在700nm波长达到最大。利用图示结果，试比较在此波长下光子通量在Si和
3、GaAs中减小到它刚进入半导体时的数目的10%时的深度。此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！ 感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢
此文档下载收益归作者所有
