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1、太阳能电池片扩散工艺1.1扩散的概念*扩散(diffusion):物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移,直到均匀分布的现象。扩散的用途:金属表面处理,半导体器件生产等。2,2扩散工艺的目的在P(N)型衬底上扩散N(P)型杂质形成PN结。达到合适的掺杂浓度p太阳光线上电极N型硅PN结P型硅下电极太阳电池结构原理扩散的工艺原理*制造門N结原理:实质上就是想办法使受主杂质(P型)在半导体晶体内的一个区域中占优势,而使施主杂质(N型)在半导体內的另外一个区域中占优势,这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触,而此时半导体晶体内部就形成PN结*利用磷原子(N型)向晶硅片(P型)内部扩散
2、的方法,改变晶硅片表面层的导电类型,从而形成PN结。这就是用PoCB液态源扩散法制造PN结的基本原理。太阳电池磷扩散方法*1.三氯氧磷(PO〔3)液态源扩散2.喷涂磷酸水溶液后链式扩散*3丝网印刷磷浆料后链式扩散优点;PoαB3液态源扩散方法具有生产效率较高,得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点,这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。POC3简介Po是目前磷扩散用得较多的一种杂质源*无色透明液体,具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。*比重为167,熔点2℃,沸点107℃,在潮湿空气中发烟POCB很容易发生水解,POCB极易挥发。升温下与水接触会反应释放出腐蚀有毒易燃气体。PO
3、C3简介P(o3极易水解,在潮湿的空气中,因水解产生酸雾,水解生的H溶于源中会使源变成淡黄色,此时须换源*工艺生成物HPO3是一种白色粘滞性液体,对硅片有腐蚀作用,并会使石英舟粘在管道上不易拉出。磷扩散工艺过程清洗扩散饱和关源,退舟回温装片卸片送片方块电阻测量清洗清洗开始时,先开O2,再开TCA;清洗结束后,先关TCA,再关O2氯乙烷(C2H3C3)高温氧化分解,产生的氯分子与重金属原子化合后被气体带走,达到清洗石英管道的目的。其反应式为C2H3CI3+02C2+H20+C02+当炉温升至预定温度(1050℃)后直接运行TCA工艺,直至TCA+饱和工艺结束。清洗化学品:C2H3CL3(三氯乙烷
4、)特性:无色液体,不溶于水危害性:遇明火、高热能燃烧,并产生剧毒的氯化氢烟雾。急性中毒主要损害中枢神经系统。对皮肤有轻度脱脂和刺激作用饱禾每班生产前,需对石英管进行饱和。炉温升至设定温度时,以设定流量通小N2(携源)和O2,使石英管饱和,20分钟后,关闭小N2和O2初次扩散前或停产一段时间以后恢复生产时需使石英管在950℃通源饱和1小时以上。36、自己的鞋子，自己知道紧在哪里。——西班牙37、我们唯一不会改正的缺点是软弱。——拉罗什福科38、我这个人走得很慢，但是我从不后退。——亚伯拉罕·林肯39、勿问成功的秘诀为何，且尽全力做你应该做的事吧。——美华纳40、学而不思则罔，思而不学则殆。——孔
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