电力电子技术试题及答案分享.docx

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1、德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷题号一二三四合计6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）分数A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）阅卷人得分A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）一、选择（每题1.5分，共60分）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO1、晶闸管内部有（）个PN结。9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、1B、2C、3D、4A、IGBTB、MOSFETC、GTRD

2、、GTO2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、越大B、越小C、不变D、越稳定A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、一个B、两个C、三个D、四个A、直流B、低频C、中频D、高频5、下列

3、电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是A、稍高于B、低于C、远高于D、等于（）15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单21、单结晶体管振荡电路

4、是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域晶体管22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动17、二极管两端加上正向电压时（）机的转速。A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超A、整流方式B、晶闸管导通角C、电源电压D、电源频率过0.7V才导通23、按逆变电路的（），分为全控型逆变电路和半控型逆变电路。18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）A、器件B、输出电能C、直流侧电源性质D、电流波形24、在一般可逆

5、电路中，最小逆变角βmin选在下面哪一种范围合理（）A、300-350B、100-150C、00-100D、0025、在有源逆变电路中，逆变角β的移相范围应选（）为最好19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）A、900-1800B、350-900C、00-900A、3B、4C、5D、626、不属于换流方式的是（）34、交流调压是把不变的交流电压变换成（）可调的交流电压A、器件换流B、电网换流C、单相换流D、负载换流A、最大值B、有效值C、瞬时值D、可调值27、通过附加的换流装置，给欲关断的器件强迫施加反向电压或反向电35、单相交流调压电

6、路带电阻性负载时，控制角α的移相范围为（）流的换流方式称为()A、00-600B、00-900C、00-1800D、00-2700A、器件换流B、电网换流C、单相换流D、强迫换流36、双向晶闸管的四种触发方式中（）触发灵敏度最高。28、串联谐振式逆变器属于（）A、Ⅰ+B、Ⅰ-C、Ⅲ+D、Ⅲ-A、电压型B、电流型C、电阻性37、晶闸管触发电路中，若改变（）的大小，则输出脉冲产生相位29、并联谐振式逆变器属于（）移动，达到移相控制的目的A、电压型B、电流型C、电阻性A、控制电压B、控制电流C、同步电压D、脉冲变压器变比30、通过变流器把直流电能变成某一频率或可调频率

7、的交流电能直接供38、晶闸管是一种既具有（），又具有整流作用的大功率半导体器件给负载，称为（）A、稳压B、滤波C、开关作用D、变压A、有源逆变B、无源逆变C、整流D、反馈39、交流调压电路是维持（）不变，只改变输出电压幅值的电路31、并联谐振式逆变器的换流（）电流并联A、电流B、功率C、电压D、频率A、电感与电阻B、电感与负载C、电容与电阻D电容与负载40、在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通32、（）是依靠专门的换流回路使晶闸管在需要的时刻关断的最小阳极电流称为（）A、负载振荡式换流B、强迫换流C、可关断晶闸管换流D、大A、擎住电流B、维

8、持电流C、最小电流D、最