模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第3章单级放大器(一)资料doc资料.ppt

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1、模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第3章单级放大器(一)资料3MOS饱和区时的小信号模型西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理∂IDWL=W=μnC(VGS−VTH),饱和区时oxL4跨导gmVGS对IDS的控制能力IDS对VGS变化的灵敏度gm=gm=2μnCoxID∂VGSVDSconstant2IDVGS−VTH西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理5本讲放大器基础知识共源级—电阻做负载共源级—二极管接法的MOS管做负载共源级—电流源做负载共源级－深线性区MOS管做负载共源级－带源极负反馈西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理6信号放大基本功能为什么信号需要放大？信号太小，不

2、能驱动负载降低后续噪声影响用于反馈电路中，改善线性度、带宽、输入/输出电阻、提高增益精度等单级放大器学习其分析方法理解复杂电路的基础西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理7放大器基础知识输入输出关系在一定信号范围内可用非线性函数表示在取值范围足够小时a0是直流偏置点，a1是小信号增益当x(t)变化幅度过大时会影响偏置点，需用大信号分析；会影响线性度西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理8放大器的性能参数参数之间互相制约，设计时需要在这些参数间折衷AIC设计的八边形法则西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理9本讲放大器基础知识共源级—电阻做负载共源级—二极管接法的MOS管做负载共源级

3、—电流源做负载共源级－深线性区MOS管做负载共源级－带源极负反馈西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理10共源级—电阻做负载大信号分析饱和区时转换点Vin1线性区时西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理11共源级—电阻做负载大信号分析线性区时深线性区时Vout<<2(Vin−VTH)西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理12共源级—电阻做负载小信号分析饱和区时大信号关系式小信号增益与小信号等效电路结果一致增益随Vin的变化而变化，在信号摆幅较大时会引入非线性西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理WL13共源级—电阻做负载Av的最大化Av=−gmRDAv=−2μnCoxWLVRDID

4、gm=μnCox(VGS−VTH)增大W/L；寄生电容增大，带宽减小增大VRD；输出摆幅减小减小ID；RD会很大，输出节点时间常数增大西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理14共源级—电阻做负载考虑沟长调制效应λID=1/rO西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理15共源级—电阻做负载考虑沟长调制效应西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理16共源级—电流源做负载能获得较大的增益Av=−gm(ro

5、

6、RD)Av=−gmro本征增益本征增益为多大？西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理=17共源级—电流源做负载本征增益Av=−gmrogm=2IDVGS−VTH,rO=1λIDAv=(V

7、GS22VA−VTH)λVOVVOV一般不能随工艺下降，要保证强反型（100mV以上），一般取200mV本征增益约50~1100.4μm工艺时最小L的NMOS管VA,NMOS=11V，VA,PMOS=5.5V西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理L增大时可以更大1/gm<

8、管做负载共源级—电流源做负载共源级－深线性区MOS管做负载共源级－带源极负反馈西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理20共源级—二极管接法的MOS管做负载二极管接法的MOS管做为小信号电阻来用西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理21共源级—二极管接法的MOS管做负载无体效应时的阻抗IX=VX/rO+gmV1二极管阻抗=(1/gm)rO≈1/gm西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理Vx=22共源级—二极管接法的MOS管做负载有体效应时的阻抗(gm+gmb)Vx+=IxroVx1Ixgm+gmb

9、

10、ro≈1gm+gmb二极管阻抗比无体效应时小西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理2

11、3共源级—二极管接法的MOS管做负载增益Av=−gm(ro

12、

13、RD)RD≈忽略rO的影响1gm+gmbAv=−gm11gm2+gmb2=−gm11gm21+η西电微电子学院－董刚－模拟集成电路原理1gm11=−24共源级—二极管接法的MOS管做负载增益的特点Av=−gm1gm2+gmb2gm21+ηgm=2μnCoxWLIDAv=−(W/L)11(W/L)21+η忽略η随Vout的变化时，增益只于W/L有关，与偏置电流、电压无关，线性度很好γ=2qεsiNsubCox